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    [推荐]晶控仪 XDM-3K [复制链接]

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    离线morningtech
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2013-11-18
    大家好, nDlO5 pe"d  
    上海膜林科技有限公司的新一代晶控仪 XDM-3K,全中文触摸屏,操作简单,含有多项专利技术,国产镀膜机轻松实现自动化。表现优异,详情请见公司网站:morningtech.cn 3SARr>HRyI  
    欢迎 各位不吝赐教,帮助我们进步,也帮助大家共同进步。
     
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    离线morningtech
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    只看该作者 1楼 发表于: 2013-11-21
    可用晶振片     6MHz     el'j&I  
    频率范围     5MHz~6MHz, Qa$NBNxKl  
    频率分辨率     0.005Hz     ]@SU4  
    频率稳定度     1ppm     _2jw,WKr  
    膜厚分辨率     0.002A     pIVq("&  
    测量更新率     10Hz {TL +7kiX/  
    材料数     112 '@:[axu  
    膜系数     20, 可自动串接 j;2<-{  
    可设定层数     112层/每膜系 C(]'&~}(  
    可控制蒸发源数     3个, 0~10V, 16bit A/Khk2-:  
    数字输入     8路兼容LVTTL,功能自定义 JCQ:+eqt  
    数字输出     10路常开继电器,功能自定义  q{X T  
    探头数     1,支持六探头     *?8RXer  
    电源     90V~240V,AC, 20W Q#WE|,a  
    主机尺寸 XDM-3K     438*88*300 (mm,标准工业机柜宽, 2U高度, 深300mm) 3 Lje<KzL  
    控制方法     PID     w3#`1T`N  
    语言     多国语言(中、英、…)         B <+K<,S  
    通信接口     RS232    
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    只看该作者 2楼 发表于: 2013-11-29
    传一个成膜过程实拍图 6F`\YSn+  
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    只看该作者 3楼 发表于: 2013-12-05
    问:什么是控制延迟? u 6(GM  
    ss; 5C:*y  
    成膜初始期间,晶控仪在打开蒸发源挡板后,将其功率保持在最后一个预熔阶段功率不变,直到一定延迟时间后才去自动控制蒸发源功率。这个延迟时间就是所谓的控制延迟时间。 3`rIV*&_{  
    在蒸发源挡板刚打开时,晶振片由于受到热冲击而产生异常频率变化(不是厚度带来的),此时晶控仪根据频率计算出来的厚度及速率不是真实值。所以晶控仪不宜马上自动调节功率,而是延迟一定时间后再去自动控制。 HZuiVW8  
    XDM晶控仪在材料参数中设置控制延迟时间。
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    只看该作者 4楼 发表于: 2013-12-14
    问:什么是挡板延迟? ;ct)H* y  
    #Jv43L H  
    有些晶控系统中,晶控的探头不受蒸发源挡板的遮挡。在挡板打开之前,晶控仪就能测量到沉积速率。这些系统中,需要在挡板打开时就已经建立起稳定的沉积速率。挡板延迟时间就是预熔阶段结束到挡板打开前,建立起沉积速率的最大等待时间! 'f6PjI  
    挡板延迟功能的优点是,挡板开时就已经建立稳定速率。缺点也很明显,探头的位置与产品的位置差异大。 I <xy?{s  
    目前,XDM不支持挡板延迟功能。若要实现同样效果(挡板开始已经建立速率),可使用两台XDM晶控仪协作。 _iq2([BpL  
    另外,有的晶控仪二者都支持,也有晶控仪只支持挡板延迟。
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    只看该作者 5楼 发表于: 2014-01-05
    负速率及负厚度问题的来源,对所有成膜工艺都存在,只是值大小不同反应不同。 ~xE=mg4le  
    XDM-3K 有额外付费的  专利功能,就是解决这个现象对真实厚度影响的。 -HN%B?}. x  
    经常有超薄层(甚至10nm以下)的用户或愿意研究的可考虑,呵呵。
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    只看该作者 6楼 发表于: 2014-01-13
    问:为什么在挡板打开一定时间内会出现负速率及负厚度? Liij{ahm  
    RE*WM3QK~  
    这是成膜工艺带来的正常现象。挡板打开后,一方面,晶振片由于材料沉积而频率下降,另一方面晶振片受到热冲击而频率上升。而晶控仪只根据频率变化来计算厚度及速率,所以如果此时频率总体上升,晶控仪就会输出负速率及负厚度。 L!&$c&=xf  
    不同的工艺,坩埚材料状态,甚至新、旧灯丝,即使相同工艺也会每次现象都不重合,这都属于正常现象,不需要进行特别处理。 IJldN6&\q  
    Q QT G9s  
    留意下起始这个过程,如有稍大改变,说明某个条件变了,需要引起注意的。 ^A- sS~w  
    XDM-3K的额外付费功能,针对此现象对厚度进行修正。
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    只看该作者 7楼 发表于: 2014-01-26
    问:什么是使用晶振片原始速率控制? T ^N L:78  
    晶控仪显示的速率,通常是包含了比例系数在内的。调整比例系数时,尽管显示速率不变,但晶振片控制的实际速率已经被同时改变。 |GuKU!  
    实际速率改变会带来一系列问题,比如膜厚分布。 6#fOCr;f7  
    所以,XDM在配置参数中提供了这样一个选项,当用户选择后,XDM晶控仪实际控制速率就是材料中的目标速率,不再与比例系数相关,以保证工艺的重复性。
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    只看该作者 8楼 发表于: 2014-01-31
    问:怎么手工控制功率,晶控仪只用于看速率? //~POm  
    ?_8%h`z  
      1.最简单的办法是,XDM的蒸发源功率控制不外接就可以了,让XDM干着急去; P$6W`^D Z  
      2.将材料设为定功率方式,外接旋转编码器的两端子分别接至<功率增加><功率减少>两个输入功能,此种方式下,旋转编码器将以0.1%的步进值增加或减少输出功率。如再将输入功能<定功率/自动>接出至按钮(如旋转编码器),则可以通过该按钮切换控制模式,看看手工与XDM到底谁控得更稳。
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    只看该作者 9楼 发表于: 2014-02-17
    ITAE是什么意思? BXNI(7xi  
    ITAE是英文 <Integral Time Absolute Error> 的首字母,时间乘以误差绝对值|t*delta(E)|积分。 ^WmGo]<B_  
    当以此值作为最优控制目标时,要求后期的误差越小,控制系统才越优化。 } /[_  
    它是一种具有很好工程实用性和选择性的控制系统性能评价指标。 7t ZW^dF  
    s Ke,  
    速率控制的传递函数(阶跃响应)近似为一阶惯性延迟,里面有三个重要的参数 Gain, Time Const, Dead Time,即增益,时间常数和延迟时间。它们描述了系统的响应与激励之间的关系。 Fq vQk  
    将PID控制引入控制系统后,如按照ITAE指标最优控制,则PID控制三参数与传递函数中的三个参数之间存在转换关系。(如按其它指标,如ISE,则转换关系是不一样的!) 1XqIPiXJ  
    aB=vu=hF  
    XDM 速率控制是采取 PID方式的,只是在显示方法上如下区分: KbXbT  
    若ITAE未勾选,显示和填写的是 P,I,D参数。 @bc[ eas  
    若ITAE勾选,  显示和填写的是 G,Tc,Dt参数,由XDM自动转换出 ITAE指标下的最优 PID 参数。 h U 9\y  
    ,2RC|h^O,  
    //用户要彻底理解此中缘由,请参考自动控制方面的书籍