随着微电子产业的迅猛发展,我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为 193nm 的投影式光刻机因其技术成熟、曝光线宽可延伸至 32nm 节点的优势已成为目前光刻领域的主流设备。照明系统是光刻机的重要组成部分,其主要作用是提供高均匀性照明、控制曝光剂量和实现离轴照明,以提高光刻分辨率和增大焦深。论文以深紫外光刻照明系统光学设计为研究方向,对照明系统关键单元进行了光学设计与仿真研究。 D =3NI
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