1.1936年,GeorgeDestiau出版了一个关于硫化锌粉末发射光的报告。随着电流的应用和广泛的认识,最终出现了"电致发光"这个术语。 Rn-L:o@?
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2.1955年,美国无线电公司(Radio Corporation of America)的鲁宾·布朗石泰(Rubin Braunstein)首次发现了砷化镓(GaAs)及其他半导体合金的红外放射作用。 i3#]_ p{
3.1962年,GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓(GaAsP)半导体化合物,从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。
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4.1965年,全球第一款商用化发光二极管诞生,它是用锗材料做成的可发出红外光的LED,当时的单价约为45美元。其后不久,Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。这种LED的效率为每瓦大约0.1流明,比一般的60至100瓦白炽灯的每瓦15流明要低上100多倍。 \ m2[
5.1968年,LED的研发取得了突破性进展,利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1流明/瓦,并且能够发出红光、橙光和黄色光。 B.{0,bW?
6.1971,业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。 )"j_NlO
7.到20世纪70年代,由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用,LED的价格直线下跌。事实上,LED在那个时代主打市场是数字与文字显示技术应用领域。 1a#wUd3
8.80年代早期的重大技术突破是开发出了AlGaAsLED,它能以每瓦10流明的发光效率发出红光。这一技术进步使LED能够应用于室外信息发布以及汽车高位刹车灯(CHMSL)设备。 Hhfqb"2on
9.1990年,业界又开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AlInGaP技术,这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10倍。 3H4p$\;C
10今天,效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间,材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。 zjVb+Z\n
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1993年,日本日亚化学工业(Nichia Corporation)工作的中村修二(Shuji Nakamura)成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化镓(InGaN)、具有商业应用价值的蓝光LED。 0]i#1Si~@
11.1994年,日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管,由此引发了对GaN基LED研究和开发的热潮。 C5;"mo-
12.20世纪90年代后期,研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED,但色泽不均匀,使用寿命短,价格高。随着技术的不断进步,近年来白光LED的发展相当迅速,白光LED的发光效率已经达到38lm/W,实验室研究成果可以达到70lm/W,大大超过白炽灯,向荧光灯逼近13.有了蓝光LED后,白光LED也导随即面世,之后LED便朝增加光度的方向发展,当时一般的LED工作功率都小于30至60mW(毫瓦)。1999年输入功率达1W(瓦)的LED商品化。这些LED都以特大的半导体芯片来处理高电能输入的问题,而半导体芯片都是被固定在金属片上,以助散热。 c5O1h8
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14.2002年,在市场上开始有5W的LED的出现 ,而其效率大约是每W18至22流明。 _0Wdm*
15.2003年九月,Cree, Inc.公司展示了其新款的蓝光LED,在20mW下效率达35%。他们亦制造了一款达65lm/W(流明每瓦)的白光LED商品,这是当时市场上最亮的白光LED。2005年他们展示了一款白光LED原型,在350mW下,创下了每瓦70lm 的记录性效率。 xa!@$w=U&
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16.2009年2月,日本LED厂商日亚化工(Nichia)发表了效率高达249 lm/W的LED,此仍实验室数据,但也已经是目前最高发光效率的LED了 S}fIZ1
17.2010年2月、Philips Lumileds 造一白色LED在受控的实验室环境内,以标准测试条件及以350mA电流推动下得出208lm/W,但由于该公司无透露当时的偏压电压,所未能得知其功率。 <0&];5
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18.2011年3月、Vclab造出一种新型结构的LED,融合了半导体致冷与普通二极管的特性,新结构为N-PN-P,新结构使得发光二极管的发热量明显降低,功率不变,但寿命大幅增长。OLED的工作效率比起一般的LED低得多,最高的都只是在10%左右。但OLED的生产成本低得多,例如可以用简单的印制方法将特大的OLED阵列安放在屏幕上,用以制造彩色显示幕。