1.1936年,GeorgeDestiau出版了一个关于硫化锌粉末发射光的报告。随着电流的应用和广泛的认识，最终出现了"电致发光"这个术语。 )6w}<W*1E
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2.1955年，美国无线电公司（Radio Corporation of America）的鲁宾·布朗石泰（Rubin Braunstein）首次发现了砷化镓（GaAs）及其他半导体合金的红外放射作用。 ,i0 b)=!o
3.1962年,GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓（GaAsP）半导体化合物，从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。 A^RR@D
4.1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。这种LED的效率为每瓦大约0.1流明，比一般的60至100瓦白炽灯的每瓦15流明要低上100多倍。 =r.mlc``W
5.1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。 UTSL
6.1971，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。 K3' niGT
7.到20世纪70年代，由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用，LED的价格直线下跌。事实上，LED在那个时代主打市场是数字与文字显示技术应用领域。 eh ,~F
8.80年代早期的重大技术突破是开发出了AlGaAsLED，它能以每瓦10流明的发光效率发出红光。这一技术进步使LED能够应用于室外信息发布以及汽车高位刹车灯(CHMSL)设备。 `D":Q=:
9.1990年，业界又开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AlInGaP技术，这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10倍。 tU^kQR!
10今天，效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间，材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。 HoLv`JA
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1993年，日本日亚化学工业（Nichia Corporation）工作的中村修二（Shuji Nakamura）成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光LED。 )
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11.1994年，日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管，由此引发了对GaN基LED研究和开发的热潮。 sT/c_^y
12.20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，但色泽不均匀，使用寿命短，价格高。随着技术的不断进步，近年来白光LED的发展相当迅速，白光LED的发光效率已经达到38lm/W，实验室研究成果可以达到70lm/W，大大超过白炽灯，向荧光灯逼近13.有了蓝光LED后，白光LED也导随即面世，之后LED便朝增加光度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小于30至60mW（毫瓦）。1999年输入功率达1W（瓦）的LED商品化。这些LED都以特大的半导体芯片来处理高电能输入的问题，而半导体芯片都是被固定在金属片上，以助散热。 < n:}kQTT
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14.2002年，在市场上开始有5W的LED的出现 ，而其效率大约是每W18至22流明。 [Cb` {
15.2003年九月，Cree, Inc.公司展示了其新款的蓝光LED，在20mW下效率达35%。他们亦制造了一款达65lm/W（流明每瓦）的白光LED商品，这是当时市场上最亮的白光LED。2005年他们展示了一款白光LED原型，在350mW下，创下了每瓦70lm 的记录性效率。 90#
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16.2009年2月，日本LED厂商日亚化工（Nichia）发表了效率高达249 lm/W的LED，此仍实验室数据，但也已经是目前最高发光效率的LED了 'Vr$MaO
17.2010年2月、Philips Lumileds 造一白色LED在受控的实验室环境内，以标准测试条件及以350mA电流推动下得出208lm/W，但由于该公司无透露当时的偏压电压，所未能得知其功率。 )m&U#S _;
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18.2011年3月、Vclab造出一种新型结构的LED，融合了半导体致冷与普通二极管的特性，新结构为N-PN-P，新结构使得发光二极管的发热量明显降低，功率不变，但寿命大幅增长。OLED的工作效率比起一般的LED低得多，最高的都只是在10%左右。但OLED的生产成本低得多，例如可以用简单的印制方法将特大的OLED阵列安放在屏幕上，用以制造彩色显示幕。
