中频磁控溅射制备GaN薄膜摘要:采用中频磁控溅射技术,以金属 Ga 为靶材料,在 Si(111)衬底上形成了 GaN 薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4~1.0 Pa 时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 时,用 X 射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰。X射线能谱分析表明在最佳实验 ]:gW+6w"C
条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga:N为1:1。 3xy2ZYw
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关键词:中频磁控溅射;GaN;X射线衍射;沉积速率