辅助离子束功率密度对透明塑料上室温磁控溅射沉积ITO薄膜结构和形貌的影响摘要：基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺 ,在透明塑料聚碳酸酯基片上 ,常温制备了透明导电的铟锡氧化物( ITO)薄膜。重点研究了不同辅助离子束功率密度对 ITO薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:当离子束功率密度从52 mW/ cm2逐渐增加到436 mW/ cm2 V,99N' o~x
时 ,薄膜逐渐从非晶态转变为微晶态、 直至长大为多晶态 ,晶体呈现(222)择优取向;薄膜在非晶态时表面相对平坦 ,随着晶粒的长大 ,表面均方根粗糙度 Rq增加 ,并在离子束功率密度为 436 mW/ cm2时最大。离子束功率密度进一步增大到680 mW/ cm2时 ,薄膜的晶体衍射峰强度变弱、 峰的半高宽变大 ,表明晶粒尺寸变小;薄膜表面均方根粗糙度下降。离子束功率密度为252 mW/ cm2, ITO薄膜具有最佳综合光电性能. LG" BfYy6
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关键词：铟锡氧化物薄膜；室温制备；离子束辅助磁控溅射；结构与形貌；透明塑料衬底
