LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 `U0XvWPr[
1、LED电学特性 T6y~iNd<
1.1 I-V特性 表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。 R1JD{
如左图: Ft;x@!h%
(1) 正向死区:(图oa或oa′段)a点对于V0 为开启电压,当V<Va,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场,此时R很大;开启电压对于不同LED其值不同,GaAs为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。 t<Sa;[+
(2)正向工作区:电流IF与外加电压呈指数关系 USART}Us4
IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流 。 ~xzr8 P
V>0时,V>VF的正向工作区IF 随VF指数上升 IF = IS e qVF/KT &SIf