1、 前言
d26#0Gt-4i ~l*[=0} 近几年来III族氮化物(III-Nitride)高亮度发光二极体(High Brightness Light Emission Diode; HB-LED)深获广大重视,目前广泛应用于交通号誌、LCD背
光源及各种
照明使用上。基本上,GaN
LED是以磊晶(Epitaxial)方式生长在蓝宝石基板(Sapphire Substrate)上,由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀係数(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差极大,所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)达108~1010 / cm2,此种高密度线差排则会限制了GaN LED的发光效率。
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