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    [分享]解析采用湿式蚀刻工艺提高LED光提取效率 [复制链接]

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    离线槐花村人
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2011-04-11
    1、 前言 d26#0Gt-4i  
    ~l*[=0}  
    近几年来III族氮化物(III-Nitride)高亮度发光二极体(High Brightness Light Emission Diode; HB-LED)深获广大重视,目前广泛应用于交通号誌、LCD背光源及各种照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生长在蓝宝石基板(Sapphire Substrate)上,由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀係数(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差极大,所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)达108~1010 / cm2,此种高密度线差排则会限制了GaN LED的发光效率。 :e\M~n+y  
    tZ:fh  p  
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    离线wap403
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    只看该作者 1楼 发表于: 2011-05-08
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    离线fangwen
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    只看该作者 2楼 发表于: 2011-11-22
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