关于dfb和fp激光器 LCpS}L;
FP:Fabry-perot法布里-珀罗,就是说LD内有法布里-珀罗谐振腔;fp是F-P腔的,多纵模。 cC`PmDGq
DFB:DistributeFeedback分布反馈式.DFBLD与FPLD的主要区别在于它没有集总反射的谐振腔反射镜,它的反射机构是由有源区波导上的Bragg光栅提供的。DFB是分布式负反馈的,单纵模。 6k\8ulHw
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DFB 激光器性能参数 _vE[TFy
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DFB激光器是在FP激光器的基础上采用光栅虑光器件使器件只有一个纵模输出,此类器件的特点:输出光功率大、发散角较小、光谱极窄、调制速率高,适合于长距离通信。多用在1550nm波长上,速率为2.5G以上。 xb(y15R\I
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DFB激光器有以下性能参数: W(*?rA- PP
工作波长:激光器发出光谱的中心波长。 8nRxx`U\q
边模抑制比:激光器工作主模与最大边模的功率比。 G-T2b,J
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-20dB光谱宽度:由激光器输出光谱的最高点降低20dB处光谱宽度。 #J
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阈值电流:当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。 0R?LWm
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输出光功率:激光器输出端口发出的光功率。
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其典型参数见下表所示: ZEU/6.
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FP激光器 I9r> 3?
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FP激光器是以FP腔为谐振腔,发出多纵模相干光的半导体发光器件。这类器件的特点;输出光功率大、发散角较小、光谱较窄、调制速率高,适合于较长距离通信。 AqP7UL
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FP激光器有以下性能参数: >9]i#So^
工作波长:激光器发出光谱的中心波长。 ulnlRx
光谱宽度:多纵模激光器的均方根谱宽。 :.EVvuXI
阈值电流:当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。 w=75?3c7 F
输出光功率:激光器输出端口发出的光功率。 {BJn9B
典型参数见下表所示: -jsk-,
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半导体激光器功率及发展 {d,~=s0T
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半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代,人们吸收了半导体物理发展的最新成果,采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构,引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术,同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺,使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长,达到原子层厚度的精度,生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是,制作出的LD,其阈值电流显著下降,转换效率大幅度提高,输出功率成倍增长,使用寿命也明显加长。 @460r
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A 小功率LD 8(A+"H(
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用于信息技术领域的小功率LD发展极快。例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性发展。这些器件的发展特征是:单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。 G^Yg[*bJ^$
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B 高功率LD 4~/3MG
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1983年,波长800nm的单个LD输出功率已超过100mW,到了1989年,0.1mm条宽的LD则达到3.7W的连续输出,而1cm线阵LD已达到76W输出,转换效率达39%。1992年,美国人又把指标提高到一个新水平:1cm线阵LD连续波输出功率达121W,转换效率为45%。现在,输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列阵的迅速发展也为全固化激光器,亦即半导体激光泵浦(LDP)的固体激光器的迅猛发展提供了强有力的条件。 h/n&&J
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近年来,为适应EDFA和EDFL等需要,波长980nm的大功率LD也有很大发展。最近配合光纤Bragg光栅作选频滤波,大幅度改善其输出稳定性,泵浦效率也得到有效提高。