发光二极管(Light Emitting Diode；以下简称为LED)具有寿命长、反应速度快、耗电量低、轻巧小型等优点，随着LED辉度逐年提高，LED已经不再是各种科技产品的照明、显示附属组件，它的应用已扩展至交通号志器、道路标识、车用煞车灯等领域，未来甚至有可能取代传统的荧光灯、白炽灯，成为新世代主要照明光源，因此提高LED的辉度成为当务之急。 C(Ujx=G+3
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提高LED辉度的方法大致上可分为两种，分别是增加芯片(chip)本身的发光量；另一种方法是有效利用芯片产生的光线，增加光线照射至预期方向的照射量。前者是设法提高芯片活性层的发光效率，以及改善芯片形状增加外部取光效率，或是将芯片大型化利用高密度电流增加发光量；后者是利用光波控制技术，亦即利用封装树脂形成特殊的光学结构，使芯片产生的光线照射至预期的方向。日本OMRON根据上述构想，利用双反射器(Double Reflection；下简称为DR-LED)使LED辉度增加二倍以上。 *M\Qt_[
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