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韩国RFHIC将全面采用CREE的碳化硅衬底 6月23日消息，半导体化合物厂商韩国RFHIC日前表示，GaN-on-SiC器件可以同目前市场上的硅衬底进行竞争，多亏了合作伙伴CREE的碳化硅衬底。 “虽然GaN-on-SiC不是最便宜的解决方案，但是CREE巩固了它的基础，甚至被喻为最具竞争力的LDMOS（微波器件）。”RFHIC的高级国际销售经理Kevin Kim表示。  RFHIC氮化镓模块 CREE宣布已经和这家韩国无线元件制造商签订了战略协议，从六月开始供应GaN HEMT。在2006年，RFHIC开始与Cree的邻居Nitronex建立战略联盟，在硅衬底上生产氮化镓器件。但是现在RFHIC的CEO Samuel Cho表示，新的协议表明他们将放弃GaN-on-silicon.。 “我们将把产品线转向CREE的GaN-on-SiC HEMT技术，主要看好它的热学和电子特性，还有出色的耐用性和可靠性。”他表示。LED巨头CREE 由于坚持采用SiC衬底而闻名，RFHIC认为CREE的超高技术很具吸引力。现在韩国企业正在寻求低缺陷、高稳定、低成本的衬底供应。 “我们的工厂正在使用CREE的功率产品，随着晶圆尺寸的增长和数量的增加，我们看重长期的成本效益。”Kevin Kim表示。他进一步指出，在这项战略合作中，CREE侧重于器件和晶体管级产品，而RFHIC 看重hybrid 和pallet 放大器。 RFHIC在广播和通讯市场的关键客户收到了RFHIC的GaN-on-SiC宽带放大器订单，第四季度的产量计划很高，有大量的多年合同。 针对Cho的言论，Nitronex的市场总监Ray Crampton表示，他们公司最近的产品比其他竞争对手拥有更好的热性能。“我们赢得了大量的军队订单，都是高级耐用的SiC-based GaN HEMT，我们的产品因为良好的电子而热性能和闻名。”他表示。 分享到：
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