美科学家发明新型记忆电阻技术

美国标准技术研究所（NIST）最近宣称他们发明了一种新的内存技术：柔性记忆电阻技术。这是一种新型的记忆电阻技术。这种记忆电阻是由钛氧化物制成，钛 氧化物是制作防晒油和牙膏等的常见材料。科学家们用这种氧化物制成柔性透明聚合物薄片，并在上面制出触点，便可将其用于制造记忆电阻。这种记忆体可以在低 于10v的电压下工作，而且断电后也可以保存数据，材料的伸缩寿命是4000次。 D]V&
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NIST的研究小组把用溶胶-凝胶法制备的液态钛氧化物喷涂在透明薄片上，并在室温下干燥，如此得到的产品可以在掉电状态下将数据保持14天。 *m6*sIR  
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上世纪70年代，人们首次提出了记忆电阻的概念，不过直到2008年惠普才开发出了有关的实际产品。记忆电阻可以在没有电流通过的情况下保存数据，而电阻的阻值会随着电流数值和电流方向的变化而发生明显的变化。 NVDv
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正常状态下，这种电阻的阻值很低，而如果改变电流方向则会出现阻值大幅增加的现象。这样就可以被应用在内存中，用来模拟数字信号的“0”和“1”。而这种阻值状态即使长时间掉电也不会发生变化，因此可以随时通过测量电阻的阻值来得到存储在其中的信息。NIST发明的记忆电阻技术则可以在掉电状态下将数据保存14天。 od3b,Q  
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柔性记忆电阻技术可以用于制造柔性芯片，后者用途广泛，医学上还可以用于制造心率/血流监视器。