名称：钇（Y） -C=0Pg]ga
三氧化二钇，（Y2O3）使用电子枪蒸镀，该材料性能随膜厚而变化，在500nm时折射率约为1.8.用作铝保护膜其极受欢迎,特别相对于800—12000nm区域高入射角而言,可用作眼镜保护膜,且24小时暴露于湿气中.一般为颗粒状和片状. n$i X6Cd
透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 蒸气成分 \]X.f&u
250--8000 1．79 2300--2500 电子枪 防反膜，铝保护膜 &jqaW 2
6h:QSVfx
名称：二氧化铈（CeO2） E]V,
@
使用高密度的钨舟皿(较早使用)蒸发,在200℃的基板上蒸着二氧化铈,得到一个约为2.2的折射率,在大约3000nm有一吸收带其折射率随基板温度的变化而发生显著变化,在300℃基板500nm区域折射率为2.45,在波长短过400nm时有吸收,传统方法蒸发缺乏紧密性,用氧离子助镀可取得n=2.35(500nm)的低吸收性薄膜,一般为颗粒状,还可用一增透膜和滤光片等. r.C6`
a
透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量 \6b~$\~B
400--16000 2.35 约2000 电子枪 防反膜， 多 aKI"<%PNn
l<=;IMWd
名称：氧化镁(MgO) w~ 3X
m{
必须使用电子枪蒸发因该材料升华,坚硬耐久且有良好的紫外线(UV)穿透性,250nm时n=1.86, 190nm时n=2.06. 166nm时K值为0.1, n=2.65.可用作紫外线薄膜材料.MGO/MGF2膜堆从200nm---400nm区域透过性良好,但膜层被限制在60层以内(由于膜应力)500nm时环境基板上得到n=1.70.由于大气CO2的干扰,MGO暴露表面形成一模糊的浅蓝的散射表层,可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜(MgO/CeO2/MgF2). 8`4M4" lj
pBsb>wvej
名称：硫化锌(ZnS) 3?93Pj3oPt
折射率为2.35, 400—13000nm的透光范围,具有良好的应力和良好的环境耐久性, ZnS在高温蒸着时极易升华,这样在需要的膜层附着之前它先在基板上形成一无吸附性膜层,因此需要彻底清炉,并且在最高温度下烘干,花数小时才能把锌的不良效果消除.HASS等人称紫外线(UV)对ZNS有较大的影响,由于紫外线在大气中导致15—20nm厚的硫化锌膜层完全转变成氧化锌(ZNO). !<[+ u
'Y?-."eKh
透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 方式 RY-iFydPc
400--14000 2.35 1000--1100 电子枪,钽钼舟 防反膜， 升华 jv)+qmqo!
应有:分光膜,冷光膜,装饰膜,滤光片,高反膜,红外膜. 9CD ei~
ipSMmpB
名称:二氧化钛(TIO2) `4 "8@>D
TIO2由于它的高折射率和相对坚固性,人们喜欢把这种高折射率材料用于可见光和近红外线区域,但是它本身又难以得到一个稳定的结果.TIO2, TI2O3. TIO, TI ,这些原材料氧—钛原子的模拟比率分别为:2.0, 1.67, 1.5, 1.0, 0. 后发现比率为1.67的材料比较稳定并且大约在550nm生成一个重复性折射率为2.21的坚固的膜层,比率为2的材料第一层产生一个大约2.06的折射率,后面的膜层折射率接近于2.21.比率为1.0的材料需要7个膜层将折射率2.38降到2.21.这几种膜料都无吸收性,几乎每一个TIO2蒸着遵循一个原则:在可使用的光谱区内取得可以忽略的吸收性,这样可以降低氧气压力的限制以及温度和蒸着速度的限制.TIO2需要使用IAD助镀,氧气输入口在挡板下面. )2f#@0SVL
8v$q+Wic
TI3O5比其它类型的氧化物贵一些,可是很多人认为这种材料不稳定性的风险要小一些,PULKER等人指出,最后的折射率与无吸收性是随着氧气压力和蒸着温度而改变的,基板温度高则得到高的折射率.例如,基板板温度为400℃时在550纳米波长得到的折射率为2.63,可是由于别的原因,高温蒸着通常是不受欢迎的,而离子助镀已成为一个普遍采用的方法其在低温甚至在室温时就可以得到比较高的折射,通常需要提供足够的氧气以避免(因为有吸收则降低透过率),但是可能也需要降低吸收而增大镭射损坏临界值(LDT).TIO2的折射率与真空度和蒸发速度有很大的关系,但是经过充分预熔和IAD助镀可以解决这一难题,所以在可见光和近红外线光谱中,TIO2很受到人们的欢迎. MO`Y&<g~A
E|O&bU Mh
在IAD助镀TIO2时,使用屏蔽栅式离子源蒸发则需要200EV,而用无屏蔽栅式离子源蒸发时则需要333EV或者更少一些,在那里平均能量估计大约是驱动电压的60%,如果离子能量超过以上数值,TIO2将有吸收.而SIO2有电子枪蒸发可以提供600EV碰撞(离子辐射)能量而没有什么不良效应.
