半导体激光依波长及应用，大致可分为短波长与长波长激光两大类。短波长激光包含发光波长由390纳米到950纳米的激光，主要使用于光驱、激光打印机、条形码机、扫描仪及指示器等光信息及显示的应用；长波长激光则涵盖发光波长由980纳米至1550纳米之激光，主要用于光纤通讯。 N
- ]m <z>
sKX%<n$
如果以激光二极管的波长及操作的功率分类，从短波长到长波长可以细分为以下四类。 Hf/2KYZ
iK"j@1 |
（1）390～550纳米︰此波段的激光二极管可用氮化铟镓/氮化铟镓/三氧化二铝或硒化锌两大材料系列所制成，其发光波长分别为390～440纳米与520纳米左右，最大的应用是在超高密度的储存系统，如：高分辨率的打印机或高密度dvd光驱等。 h ,@x5q>g
A*h)p@3t<
（2）635～670纳米︰此波段的激光二极管主要用磷化铝铟镓／磷化铟镓/砷化镓材料所制成。5毫瓦以下的低操作功率激光二极管主要用在条形码阅读机、量测对准、激光指示器、及只读型光信息存取系统上，如：dvd-rom光驱或数字式影碟机的应用。30毫瓦左右的中操作功率激光二极管用于可擦写型存取系统，如：dvd-r与dvd-rw烧录机。100毫瓦以上操作功率的激光二极管则用于激光打印机、固态激光激发源及医学上。 mP)<;gm,
$Q:5KNF+p
（3）750～950纳米︰此波段的激光二极管主要用砷化铝镓／砷化镓材料所制成。5毫瓦以下的780纳米激光二极管是最早被大量生产的激光二极管，广泛用在cd-rom光驱、cd唱盘、cd游戏机等商品上。10毫瓦至1瓦的中级操作功率方面，30毫瓦的780纳米的激光二极管用于可擦写型存取系统，如：cd-r烧录机、可擦写式微光驱。500毫瓦至1瓦的808纳米激光二极管常做为钕钇铝石榴石激光的激励源，用在表演舞台的特殊效果。1瓦以上的高功率激光二极管，是用在激励大功率固态激光，以进行材料加工处理，或用于医学治疗上、数字印刷、艺术表演等。 ^/Hj^4 ~_U
m,u?
^ W
（4）980～1550纳米：此波段的激光二极管主要用砷化铝镓铟和砷磷化铟镓材料系列所制成，通常应用在长距离的光纤通讯，操作功率大于数10毫瓦至1瓦以上的激光二极管。其中最重要的是使用具有单模、稳频操作的1310纳米或1550纳米激光二极管，以做为光纤通讯的光源。另外，也用在光纤放大器的激发源的980纳米或1480纳米激光二极管。由于长距离光纤通讯朝向高传输速率及波长多任务系统发展，使用光纤放大器取代传统的电子式中继站正迅速发展。
