[求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的，从刚开始什么也不懂，到现在对镀膜设备和工艺有了一定的初步认识，年前在这里注册了账号，潜水看以往的帖子进行学习。 Vh|\_~9  
现在工作中遇到几个问题，想问下求助大家（使用磁控溅射，镀膜材料是NB2O5和SIO2） xQ4%e[/  
1.我们生产AR有两种膜系，一个总膜厚在240nm左右，另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm J00
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的膜系就是曲线趋势对的上的，而260nm膜系的产品打样就对不上，这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗？ 4x;_AN  
2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找？ .}B(&*9,v  
3.我们真空计是成都睿宝的，电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板，不是成都睿宝的，这个能用吗？ p{D4"Qn+P9  
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对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 jszK7$]^  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 l{j~Q^U})  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 r|u MovnV  
3不知道 Dd/wUP  

ouyuu:对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 &?mD$Eo  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 ?c[*:N(  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 Jn{OWw2  
3不知道 G:~k.1y[  
 (2026-04-01 19:18)  B!vmQR*1  

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好的，感谢指导。

剑雨剑芒:好的，感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  A
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刚刚发现你用的是磁控溅射。 17%Mw@+  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 %nf6%
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O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 \W~N  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） ,J+}rPe"sf  
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磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的，有问题不一定是膜厚控制的问题。 h2G$@8t}I  
你们不同膜层的氧气氩气变化大吗？会不会是真空度变化或者是气流波动造成的？

ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 xQ7l~O b  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 IaSR;/  
O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 UXJeAE-  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） }bb;~  
....... (2026-04-03 19:16)  ` Fa~  

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是的，镀硅和铌的气体比例是不一样的，刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 *& BQTZ6  
硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 n@<YI  
但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收，玻璃盖板摞在一起颜色发黑，550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 03$mYS_?  
硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 )1?y 8_B  
现在做起来没有吸收了，但是感觉速度变慢了些。 ?+))}J5N\  
最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率，所以就想深入问下这方面的调试经验。

应该说是充气多了，真空度差了，溅射出来材料的量就少了。 w'>pY  
这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。 )3cAQ'w  
也许是因为出气口位置不好造成的充气不足（氧不够造成的吸收）。

记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 U7?;UCmX  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。

ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 Z*F3G#A  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  9p]QM)M  

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我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。

剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  b=C*W,Q_#  

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真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火

ouyuu:真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  k .;j  

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我们设备设定的镀膜真空是0.008pa，到达该真空通Ar和O2后，真空就到了0.3-0.5pa。