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技术背景 u0Nag=cU 随着极紫外光刻(EUV)、空间激光通信等领域的精度需求逼近物理极限,传统接触式加工已难满足需求。本文对比两种前沿工艺: x*p>l ! 1. 反应离子束刻蚀(RIBE) TB!z:n - 优势: X>0$zE@0
各向异性刻蚀(纵横比>10:1),适合微棱镜阵列加工 - 原子级去除(0.1nm/cycle),理论面型精度可达λ/50
?3X(`:KB 瓶颈: - 设备成本高(>200万美元)
- 大曲率元件边缘刻蚀均匀性控制(需动态束流校正)
2. 飞秒激光诱导等离子体加工(FLIP) !|SVRaS - 创新点: H)eecH$K
利用非线性吸收效应(阈值~2J/cm²),实现亚波长结构直写 - 加工热影响区(HAZ)<50nm,避免晶格相变
=TTk5(m 挑战: - 重复定位精度需达±0.1μm(对运动平台要求极高)
- 表面粗糙度Ra>1nm,需后续辅助抛光
技术路线投票 x EX"pd - 您更看好哪种技术方向? QX1rnVzg0
A) RIBE的确定性去除更适合量产 U$-;^=; B) FLIP的多功能性适应复杂微结构 F@+FXnz C) 其他(请回帖说明) L)0j&
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