摘要 a<^ v(r
A^USBv+9`
VK m&iidU ;ub;lh 3 元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
HiZ*+T.B ItNz}4o|d 元件内部场分析仪:FMM uvkz'R= IG2r#N|C# H?yK~bGQ 元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
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8 h9}+l 评估模式的选择 H#,W5EJzM ekWD5,G 0X6YdW _2X 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
ua3~iQj- ztcp/1jIvS 评价区域的选择 m*&]!mM"0G ]d$8f
ldU?{o:\s T(id^ w 元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
oB(?_No7 c"f-3kFv 不同光栅结构的场分布 5_GYrR2 =^M/{51j 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
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pA /:m->
T , qMzWa 光栅结构的采样 igCZ|Ru\ ~!B\(@GU 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
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P)Jgs n\mO6aJ 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
b/+u4'" f\|w' 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
)}Hpi<5N D+rxT:
d )1?y 8_B 输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) &GpRI(OB/+ T6\[iJI| h0g8*HY+} 对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
Wf+cDpK .]8ZwAs=& 输出数据的采样:二维周期光栅 hNC&T`.-~B h79}qU 当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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