1. 建模任务 5Ncd1 1.1
模拟条件
[4yQ-L)]e 模拟区域:0~10
o9>X"5CmX 边界条件:Periodic
OQvJdjST 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Qafg/JU 单位长度:0.5
zu%pr95U *
=l9gv& s2WB4Uk 1.2堆栈
结构 _P:P5H8 9qA_5x%"%u 2. 建模过程 V-3]h
ba, 2.1设置模拟条件
dX=^>9hN/ W+X
zU"l ^*OA%wg3=h 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ZxWV,s&p 9h8G2J
o XjbK!. 2.3创建掩膜并生成多畴结构
,e,{6Sg6gl hlZjk0ez 3. 结果分析 IYPLitT 3.1 指向矢分布和透过率
QR)eJ5< ;21JM2JI8 }f}&|Vap 3.2所有畴的V-T曲线
|IvX7%*]~
jG#sVK] XEI]T~ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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