1. 建模任务 PN"SBsc*j- 1.1
模拟条件
V:'_m'.-Y 模拟区域:0~10
;&9wG` 边界条件:Periodic
W&=F<n` 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
<wTD}.n 单位长度:0.5
5H!6m_,w d$5\{YLy :{=2ih-} 1.2堆栈
结构 _1ax6MwX ZTzh[2u* 2. 建模过程 7El :$H 2.1设置模拟条件
$:IEp V{ !n3J6%b9y/ ,V`[;~49 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 yL#2|t( Jty/gjK+
%Z-B{I( 2.3创建掩膜并生成多畴结构
M/evZ?uis aTFT'(O, 3. 结果分析 iM_Zn!|@\ 3.1 指向矢分布和透过率
-F&*>?I uePa4e! glUf.:] 3.2所有畴的V-T曲线
;%mYsQ "yf#sEabV q~6((pWi| 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
-_T@kg[0zB