1. 建模任务 |@j_2Q, 1.1
模拟条件
V/"}ku 模拟区域:0~10
jN/C'\QL 边界条件:Periodic
znZ7*S >6\ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
$T }Tz7( 单位长度:0.5
MZ#T^Y
V*65b(q) ^m7~:=K7WG 1.2堆栈
结构 (E($3t8 ';RI7)< 2. 建模过程 !rTmR@e$/ 2.1设置模拟条件
MonS hIz
+=cam/A yu&Kh4AP 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 R[A5JQ$[ \gccQig1CJ gs`^~iD]m 2.3创建掩膜并生成多畴结构
\&A+s4c") :kw0y 3. 结果分析 $W!]fcZlB 3.1 指向矢分布和透过率
hSqMaX%G uhn%lV] MV+i{] 3.2所有畴的V-T曲线
"dN< i w;yx<1f ]1fZupM^6 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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