切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 292阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5623
    光币
    22267
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-05-23
    摘要 ISOPKZ#F  
    d0 |Q1R+3  
    0(0Ep(Vj  
    *:)#'cenI  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 Bg;bBA!L  
    r+\it&cW+  
    建模任务 J6\<>5 A?  
    iZ)7%R?5  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 ])0&el3-  
    0vDP- qJV-  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 W9.Z hpM  
    3{~h Rd  
    探测器 oM QH- \(}  
    J:p nmZ`X  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) N4'b]:`n  
    Zb8i[1P  
    太阳能电池 +qjW;]yxP  
    {h|3P/?7  
    h.=YAcR0D  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 7ugmZO}lL  
    <)y'Ot0 y  
    系统构建模块-分层的介质组件 tWL9>7]G  
    >TwOL  
    H;Z{R@kf  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 V|<qO-#.  
    $F;$-2  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 v#=WdaNz  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: d<fS52~l  
    每个均质层的特征值求解器。 5as';1^P&*  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 I\`:(V  
    Z/:( *FC  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 7u o4F= %  
    g 9>p?XY  
    vWjK[5 M%  
    更多信息: K#+TCZ,  
    层矩阵(S矩阵) Wb/@~!+i`  
    C'*1w  
    系统构建模块-已采样的介质 ;bkS0Vmg  
    B=|yjA'Fg  
    [sACPn$f  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 %+xh  
    HgduH::\#  
    系统构建模块-探测   F2 >o"j2  
    3)__b:7J  
    0v+5&Jk  
    总结——组件 i&Xr+Zsec"  
    >d#B149  
    }5zH3MPQH  
    }*IX34  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 ~A>3k2 N/e  
    Ca?pK_Y  
       v\$XhOK  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured eEezd[p  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. #HM0s~^w&  
    Z~muQ c?  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm > *vI:MG8  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 ;t[<!  
     
    分享到