切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 163阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5119
    光币
    19911
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 05-23
    摘要 V!e`P  
    ;(g"=9e  
    y#ON=8l  
    H6#SP~V  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 VF-[O  
    ' wLW`GX.  
    建模任务 W70BRXe04D  
    ~8Ef`zL  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 E&vCzQ  
    2zjY|g/  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 3z 5"Ckzb  
    IgF#f%|Q  
    探测器 wzI*QXV2s  
    [/cJc%{N  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) j1@PfKh  
    l~`JFWur]  
    太阳能电池 |R Qa.^.  
    0pe*DbYP5  
    ^\PNjj*C i  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 T 6rjtq  
    "FfP&lF/  
    系统构建模块-分层的介质组件 0vz!)  
    u7u1lx>S  
    B{_-k  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 ~!dO2\X+  
    Bk4|ik}  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 m3b?f B  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: t4,(W`  
    每个均质层的特征值求解器。 771r(X?Fa  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 )RwO2H  
    Ru`7Xd.  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 cU=/X{&Om  
    >:U{o!N`#_  
    y +c 3#  
    更多信息: g(zoN0~  
    层矩阵(S矩阵) t.m C q 4{  
    a{8g9a4  
    系统构建模块-已采样的介质 *Ry "`"  
    9ioV R  
    SSI('6Z/  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 |zSoA=7?  
    !_UBw7Zm  
    系统构建模块-探测   f<~S0[H  
    .1& F p  
    Ni 5Su  
    总结——组件 p^QB^HEV  
    rY&Y58./  
    \?.Tq24  
    !NFP=m1  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 ,t_Fo-i7vI  
    WKPuIE:  
       BPzlt  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured ^aG=vXK`b  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. KUqD<Jj?  
    wsNM'~(  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm u ?n{r  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 P*;zDQy  
     
    分享到