. 建模任务 / ; {E}` 1.1
模拟条件
R q
|,@ 模拟区域：0~10
Ql8s7 % 边界条件：Periodic
kVeR{i<*( 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
J<;@RK,c_ 单位长度：0.5
cM 5V%w 
]9]o*{_+(f 1.2堆栈
结构 k3yA*Ec 1O ,:fTG< 2. 建模过程 ;eY.4/*R 2.1设置模拟条件
K6d2}!5 
qEJ#ce]G 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 0Fc^c[ s{9 G// pB5#Ho>S 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Swr
8 '^!#* O 3. 结果分析 :tf'Gw6v 3.1 指向矢分布和透过率
l' mdj!{&
kJ[r.)HU ? dh 3.2所有畴的V-T曲线
{$xt.< sD ,=_q@ ^g SZzJ5 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
XT%\Ce!
