. 建模任务 B@inH]wq 1.1
模拟条件
t<,p-TM] 模拟区域:0~10
2Q|*xd4B^ 边界条件:Periodic
)=nPM`Jn. 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
w*%$
lhp! 单位长度:0.5
N('DIi*or GY]6#>D#7 % 3-\3qx* 1.2堆栈
结构 KGmc*Jwy 9w;J7jgOT! 2. 建模过程 fhIj+/{_O 2.1设置模拟条件
h?3l u;ooDIq@ XW_xNkpL5c 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 V,"iMo 9^#gVTGXv 8pMZ~W; 2.3创建掩膜并生成多畴结构
tr9Y1vxo{ i2a"J&,6O 3. 结果分析 J:Y|O-S! 3.1 指向矢分布和透过率
.4re0:V |\n)<r_ R|J>8AL}BY 3.2所有畴的V-T曲线
e$+f~~K D4O5@KfL eOPCYyN 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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