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| 汞硫属化合物被视为开发高性能红外非线性光学材料的最有前景的系统。 |
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中科院新疆理化所在汞基红外非线性光学材料方面获进展 中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心在前期研究的基础上，通过系统分析[HgS4]基团畸变度对微观性能的影响，结合结构预测，在Hg-Zn-P-S体系合成出首例宽带隙的汞基红外非线性光学材料Zn2HgP2S8。该化合物带隙达到3.37 eV，打破了汞基红外非线性光学材料带隙长期小于3.0 eV的带隙“壁垒”。同时，，Zn2HgP2S8表现出大的倍频效应，约为1.1 ×AgGaS2，并能实现Ⅰ型相位匹配。相比于前期开发的大倍频红外非线性光学材料Hg3P2S8，Zn2HgP2S8表现出更平衡的倍频效应及光学带隙。理论计算结果表明，在类金刚石结构中，相比于低畸变度的[HgS4]基团，高度畸变的[HgS4]基团更利于诱导宽的带隙，这为后续设计宽带隙汞基类金刚石结构材料提供了新思路。 上述成果将激励科研人员探索更多综合性能优异的汞基类金刚石红外非线性光学材料。相关研究成果发表在Small（DOI: 10.1002/smll.202305074）上。 论文链接：https://doi.org/10.1002/smll.202305074 分享到：
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最新评论
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camelots 2023-10-23 08:53
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wmh1985 2023-10-23 08:56中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心在前期研究的基础上，通过系统分析[HgS4]基团畸变度对微观性能的影响，结合结构预测，在Hg-Zn-P-S体系合成出首例宽带隙的汞基红外非线性光学材料Zn2HgP2S8。该化合物带隙达到3.37 eV，打破了汞基红外非线性光学材料带隙长期小于3.0 eV的带隙“壁垒”。同时，，Zn2HgP2S8表现出大的倍频效应，约为1.1 ×AgGaS2，并能实现Ⅰ型相位匹配。相比于前期开发的大倍频红外非线性光学材料Hg3P2S8，Zn2HgP2S8表现出更平衡的倍频效应及光学带隙。理论计算结果表明，在类金刚石结构中，相比于低畸变度的[HgS4]基团，高度畸变的[HgS4]基团更利于诱导宽的带隙，这为后续设计宽带隙汞基类金刚石结构材料提供了新思路。
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宿命233 2023-10-23 09:09中科院新疆理化所在汞基红外非线性光学材料方面获进展
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churuiwei 2023-10-23 09:16中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心在前期研究的基础上
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u201713898 2023-10-23 10:13中科院新疆理化所在汞基红外非线性光学材料方面获进展
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sgsmta 2023-10-23 11:04红外非线性光学晶体
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jabil 2023-10-23 11:08Nice information about it
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杨森 2023-10-23 11:12红外非线性光学晶体作为激光频率转换的关键器件，在全固态激光器中应用广泛
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wangjin001x 2023-10-23 11:42中科院新疆理化所在汞基红外非线性光学材料方面获进展
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qyzyq37jason618 2023-10-23 12:54中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心在前期研究的基础上，通过系统分析[HgS4]基团畸变度对微观性能的影响，结合结构预测，在Hg-Zn-P-S体系合成出首例宽带隙的汞基红外非线性光学材料Zn2HgP2S8。该化合物带隙达到3.37 eV，打破了汞基红外非线性光学材料带隙长期小于3.0 eV的带隙“壁垒”。同时，，Zn2HgP2S8表现出大的倍频效应，约为1.1 ×AgGaS2，并能实现Ⅰ型相位匹配。相比于前期开发的大倍频红外非线性光学材料Hg3P2S8，Zn2HgP2S8表现出更平衡的倍频效应及光学带隙。理论计算结果表明，在类金刚石结构中，相比于低畸变度的[HgS4]基团，高度畸变的[HgS4]基团更利于诱导宽的带隙，这为后续设计宽带隙汞基类金刚石结构材料提供了新思路。