一、镀膜技术可区分为哪几类? (t@)`N{
可区分为:(1)真空蒸镀 (2)电镀 (3)化学反应 (4)热处理 (5)物理或机械处理 Bzwll
二、蒸镀的加热方式包括哪几种?各具有何特点? u$a K19K/
加热方式分为: iptA#<Yj
(1)电阻加热 (2)感应加热 (3)电子束加热 (4)雷射加热 (5)电弧加热 ^vd$j-kjTP
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各具有的特点: _r3Y$^!U
(1)电阻加热:这是一种最简单的加热方法,设备便宜、操作容易是其优点。 ]w6F%d
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(2)感应加热:加热效率佳,升温快速,并可加热大容量。 /r~2KZE
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(3)电子束加热:这种加热方法是把数千eV之高能量电子,经磁场聚焦,直接撞击蒸发物加热,温度可以高达30000C。而它的电子的来源有二:高温金属产生的热电子,另一种电子的来源为中空阴极放电。 2Cp4aTGv#
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(4)雷射加热:激光束可经由光学聚焦在蒸镀源上,产生局部瞬间高温使其逃离。最早使用的是脉冲红宝雷射,而后发展出紫外线准分子雷射。紫外线的优点是每一光子的能量远比红外线高,因此准分子雷射的功率密度甚高,用以加热蒸镀的功能和电子束类似。常被用来披覆成份复杂的化合物,镀膜的品质甚佳.它和电子束加热或溅射的过程有基本上的差异,准分子雷射脱离的是微细的颗粒,后者则是以分子形式脱离。 ct-Bq
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(5)电弧加热: ON\bD?(VY
阴极电弧沉积的优点为: x!GDS>
(1)蒸镀速率快,可达每秒1.0微米 ?{TWsuP7
(2)基板不须加热 vf3) T;X>
(3)可镀高温金属及陶瓷化合物 -"nkC
(4)镀膜密高且附着力佳 n zaDO-2!
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三、真空蒸镀可应用在哪些产业? BGibBF^
主要产业大多应用于装饰、光学、电性、机械及防蚀方面等,现就比较常见者分述如下: Qt4mg?X/
1.镜片的抗反射镀膜(MgO、MgF2、SiO2等),镜片置于半球支顶,一次可镀上百片以上。 ]j7`3%4uK
2.金属、合金或化合物镀膜,应用于微电子当导线、电阻、光电功能等用途。 F!#)l*OX;
3.镀铝或钽于绝缘物当电容之电极。 k(H]ILL
4.特殊合金镀膜MCrAlY具有耐热性抗氧化性,耐温达1100OC,可应用须耐高温环境的工件,如高速切削及成形加工、涡轮引擎叶片等。 ]"V_`i7Z
5.镀金属于玻璃板供建筑物之装饰及防紫外线。 <T[LugI
6.离子蒸镀镀铝,系以负高电压加在被镀件上,再把铝加热蒸发,其蒸气经由电子撞击离子化,然后镀到钢板上。 e5bXgmyil
7.镀铝于胶膜,可供装饰或标签,且镀膜具有金属感等。最大的用途就是包装,可以防潮、防空气等的渗入。 n}Z%D-b$
8.机械零件或刀磨具镀硬膜(TiC、TiN、Al2O3)这些超硬薄膜不但硬度高,可有效提高耐磨性,而且所需厚度剪小,能符合工件高精度化的要求。 G]aey>)
9.特殊合金薄片之制造。 W'vek uM
10.镀多层膜于钢板,改善其性能。 ^x O](,H
11.镀硅于CdS太阳电池,可增加其效率。 6t; ;Fz
12.奈米粉末之制造,镀于冷基板上,使其不附着。 UiV#w#&P
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四、TiN氮化钛镀膜具有哪些特点? J(#6Cld`c
有以下的优点: SV t~pE+Y
(1)抗磨损 x] wi&
(2)具亮丽的外观 %^lD
(3)具安全性,可使用于外科及食品用具。 Jt]RU+TB
(4)具润滑作用,可减少磨擦。 K]$PRg1|3
(5)具防蚀功能 k5-4^
(6)可承受高温 N@PwC(
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五、CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为哪五个步骤? [6l0|Y
(1)不同成份气相前置反应物由主流气体进来,以扩散机制传输基板表面。理想状况下,前置物在基板上的浓度是零,亦即在基板上立刻反应,实际上并非如此。 `:3nF'
(2)前置反应物吸附在基板上,此时仍容许该前置物在基板上进行有限程度的表面横向移动。 bI0xI[#Q
(3)前置物在基板上进行化学反应,产生沉积物的化学分子,然后经积聚成核、迁移、成长等步骤,最后联合一连续的膜。 Lm}.+.O~d
(4)把多余的前置物以及未成核的气体生成物去吸附。 9RlJf=Z#H
(5)被去吸附的气体,以扩散机制传输到主流气相,并经传送排出。 6inAnC@I
六、何为化学气相蒸镀(CVD)?主要的优缺点有哪些? VCc=dME
化学气相蒸镀乃使用一种或多种气体,在一加热的固体基材上发生化学反应,并镀上一层固态薄膜。 Ich^*z(F$
优点: Zm*d)</>
(1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如热喷覆 feyc
(2)沉积速率快,大气CVD可以达到1μm/min cu>(;=
(3)与PVD比较的话。化学量论组成或合金的镀膜较容易达成 Y({
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(4)镀膜的成份多样化,如金属、非金属、半导体、光电材料、钻石薄膜 "v?F4&\ 8
(5)可以在复杂形状的基材镀膜,甚至渗入多孔的陶瓷 1]''@oh{6U
(6)厚度的均匀性良好,低压CVD甚至可以同时镀数十芯片 DQ+6VPc^o
缺点: \12G,tBH
(1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解 u4FD}nV
(2)需要在高温下进行,有些基材不能承受,甚至和镀膜产生作用 /Yi4j,8!|
(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性,处理时需小心 mTu>S
(4)反应生成物可能残余在镀膜上,成为杂质 \VhG'd3k
(5)基材的遮蔽很难 rAP="H<