主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 91>fqe • 定义MMI耦合器的材料; W6 H,6v • 定义布局设定; :0& X^]\ • 创建一个MMI耦合器; 'R`tLN • 插入输入面; w@JKl5 • 运行模拟; 4lhw3,5 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 W"^wnGa@a D%6;^^WyUx 1. 定义MMI耦合器的材料 o*U]v
为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: B(xN Gs 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ $`R6=\| AdRX`[ik 图1.初始性能对话框
;bHV 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” {:@tQdM:i8 ^P151*=D 图2.轮廓设计窗口
]BR,M4 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 M@0;B30L
ok|qyN+ ZaNQpH. 图3.电介质材料创建窗口
3bnS
W5 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: -'~LjA( − Name : Guide ,|&9M^ − Refractive Index (Re) : 3.3 x#Sqn# − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]Oq[gBL"A KM^ufF2[ 图4.创建Guide材料
9]q:[zm^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: .tD*2 − Name : Cladding RV@*c4KvO+ − Refractive Index (Re) : 3.27 C z\Pp q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 -D6exTxh" 4Y[1aQ(% 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 0RoU}r@z4
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: M|:UwqV> − Name : Guide_Channel |4'Y/re − 2D profile definition: Guide \hCH>*x< − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 g<~Cpd &x3VCsC\| 图6.构建通道
2. 定义布局设定 OpHsob~
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: %2v4<icvq
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 LD!Q8"
− Width:2.8 D9M:^
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 )ZN|t?|
− Profile:Channel-Guide l+V>]?j
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
>,td(= :
720D V+o
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: *QH28%^
− Length:5300 K'GBMnjD
− Width:60 w K}T`*k
图8.设置晶圆尺寸
rS;Dmm
x&0vKo;
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: P-9<YN
− Material:Cladding RsYU59_Y
− 点击OK以激活布局窗口 uCcYPvm
图9.晶圆材料设置
<_7*67{
)rC6*eR
4) 布局窗口 '*3h!lW1.
图10.默认情况下布局窗口显示
?"g!
P
Y
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: *6VF
$/rP
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 8SGo9[U2
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ]UmFhBR-
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 'ET~
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 MjU6/pO}L
图12.最终布局显示
1u:<
25
]?(-[
3. 创建一个MMI耦合器 s=;uc]9g
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: qw^uPs7Uw
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 [C'JH//q*t
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 P09;ng67
图13 .绘制第一个线性波动
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