碲化铌：下一代存储器材料前景

最新评论

jeremiahchou 2023-07-18 17:43

研究人员表示，溅射是一种广泛使用的技术，涉及将材料薄膜沉积到基板上，从而能够精确控制薄膜的厚度和成分。此次新研究所沉积的碲化铌薄膜最初是非晶态的，但通过在272℃以上的温度下退火可结晶为二维层状晶相。 Dc-v`jZ@)  
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与传统的非晶态相变材料不同，碲化铌表现出低熔点和高结晶温度。这种独特的组合降低了复位能量并提高了非晶相的热稳定性。研究人员评估了碲化铌的开关性能，与传统的相变存储化合物相比，它的运行能量显着降低。 6&xpS9  
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团队预计，新材料可在高达135℃的温度下保留数据10年，优于传统非晶态相变材料的85℃，这表明碲化铌具有出色的热稳定性以及在汽车行业等高温环境中使用的可能性。此外，碲化铌还表现出约30纳秒的快速切换速度，进一步凸显了其作为下一代相变存储器的潜力。

qyzyq37jason618 2023-07-18 18:26

X/Sp!W-H  
相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子无序排列）转变为晶态（原子紧密堆积在一起）的能力。这种变化产生了可逆的电特性，可用于存储和检索数据。近年来，二维范德华过渡金属二硫属化物已成为一种有前景的相变材料，可用于相变存储器。 F)K&a  

personking 2023-07-18 21:41

碲化铌：下一代存储器材料前景

sac 2023-07-18 22:20

存储器材料

jabil 2023-07-18 23:27

next-generation memory materials