切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1005阅读
    • 3回复

    [讨论]ito导电膜蒸镀 条件 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线siyuehui
     
    发帖
    100
    光币
    27
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-03-27
    Ito蒸镀条件,功率,气体导入,有什么标准?大神们
     
    分享到
    离线yzhuang
    发帖
    339
    光币
    3188
    光券
    0
    只看该作者 1楼 发表于: 2023-03-30
    一般情况下基底温度越高透过越高,阻值越大,充氧流量越大,透过越高,阻值越大,厚度变化会导致透过率周期性变化,这个根据试验确定即可
    离线xiezhizhi
    发帖
    253
    光币
    40
    光券
    0
    只看该作者 2楼 发表于: 04-09
    回 yzhuang 的帖子
    yzhuang:一般情况下基底温度越高透过越高,阻值越大,充氧流量越大,透过越高,阻值越大,厚度变化会导致透过率周期性变化,这个根据试验确定即可 (2023-03-30 10:16)  o Pci66  
    g1E~+@  
    所以透过和电阻是鱼和熊掌。如果希望透过高电阻小
    离线谭健
    发帖
    6672
    光币
    22167
    光券
    0
    只看该作者 3楼 发表于: 04-09
    Ito蒸镀条件,功率,气体导入,有什么标准?大神们