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    [讨论]求助各位大佬，怎么才能过双85环测？ [复制链接]

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    离线tfcalc68
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-03-17
    用MGF2+H4这两种材料，什么工艺才能过双85环测呀？ n^nE&'[?0g  
    目前试过：设定温度320℃，MGF2速率3.0A/S，H4速率1.5A/S，最后镀15nm  SIO2，速率1.5A/S，MGF2打底层，高温高湿脱膜，看上去像是最外层膜脱落 .D W>c}1  
    也试过：320℃，MGF2速率5.0A/S，H4速率3.0A/S，最外层镀10nm金刚膜，MGF2打底层，高温高湿有亚克，太阳辐照脱膜 ! JA;0[;l=  
    用这两种材料能过环测吗？人都麻了
     
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    离线tfcalc68
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    只看该作者 1楼 发表于: 2023-03-17
    APC充氧流量的多少有什么影响吗？
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    离线tfcalc68
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    只看该作者 2楼 发表于: 2023-03-17
    没人给点意见吗？
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    离线小时候_我很帅
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    只看该作者 3楼 发表于: 2023-03-22
    上离子源
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    离线yzhuang
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    只看该作者 4楼 发表于: 2023-03-30
    MgF2换成SiO2，损失一些光学性能，换来更好的稳定性。
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    离线嘤击长空
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    只看该作者 5楼 发表于: 2023-03-31
    建议测一下温度，镀膜时基片至少要在270°，起始真空度2.0E-3，H4充氧少一点，6.0E-3左右
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    离线flyinlove79
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    只看该作者 6楼 发表于: 2023-05-26
    氧化硅蒸发速率太小了，膜层太疏松吸潮后很容易脱膜
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    离线knight627
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    只看该作者 7楼 发表于: 2023-06-08
    不太理解为什么要用sio2+mgf2最外层这结构，无论是光谱还是致密性也应该是mgf2 或者mgf2+sio2更好，SIO2本就是柱状结构
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