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Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展 中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作，首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现了成像。研究采用CMOS工艺兼容的IGZO TFT驱动Ga2O3紫外探测器，实现单片集成32×32紫外成像阵列。IGZO TFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声，对紫外光表现出极高的灵敏度，可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。通过外围电路进行信号读取和处理，该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。  图1.单片集成1T1PD图像传感器结构图  图2.该工作与其他已报道的深紫外探测器性能对比  图3.单片集成Ga2O3紫外成像系统  图4.基于Ga2O3 PD/IGZO TFT图像传感器在不同强度深紫外光照下的成像情况 相关研究成果（First Demonstration of High-Sensitivity (NEP<1fW·Hz-1/2) Back-Illuminated Active-Matrix Deep UV Image Sensor by Monolithic Integration of Ga2O3 Photodetectors and Oxide Thin-Film-Transistors）入选2022 VLSI。 关键词： 图像传感器
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最新评论
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wssf001 2022-07-09 10:54这个东西与光刻有关吗？
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u201713898 2022-07-09 12:32不错的进展。
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jabil 2022-07-09 17:02Nice information about
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jeremiahchou 2022-07-09 21:28中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作，首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现了成像。研究采用CMOS工艺兼容的IGZO TFT驱动Ga2O3紫外探测器，实现单片集成32×32紫外成像阵列。IGZO TFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声，对紫外光表现出极高的灵敏度，可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。通过外围电路进行信号读取和处理，该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。
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光学白小白 2022-07-09 21:38首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现了成像
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谭健 2022-07-09 23:21科技进步
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wangjin001x 2022-07-09 23:41Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展
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