串联电阻作用?

在很多电路中都会串联小阻值的电阻，别小看它们，其实作用很大。 ^vPM\qP#g  
P~/Glak  
1、SPI信号线 ys`"-o[*  
6K501!70g6  
s4uZ;  
'
yd<<BM`  
{XAm3's  
FGY4u4y  
kXK D>."E*  
b2]1Dfw  
SPI信号上串联电阻，一般是几十欧姆左右，一般有如下几个作用： 5]D"y Ay81  
.G8+D%%.  
<2@V$$Qg.~  
e=S51q_0  
1）阻抗匹配。因为信号源的阻抗很低，跟信号线之间阻抗不匹配，串上一个电阻后，可改善匹配情况，以减少反射。 is@8x!c  
w-9M{Es+j  
w64/$  
C\#E1\d  
2）SPI的速率较高，串联一个电阻，与线上电容和负载电容构成RC电路，减少信号陡峭，避免过冲，过冲有时候会损坏芯片GPIO，当然对EMI也有好处，尤其是高速电路。 Wm_:1~  
i7]\}w|  
0h^&`H:  
j_i/h
"  
3）调试方便，现在的芯片很多是BGA、QFN封装，串联一个电阻，调试时用示波器抓取波形方便。 -wJ/j~+m+  
Qz6Ry\u  
#Duz|F+%  
!jZXh1g%  
2、LDO输入端 OtK=UtVI  
aF2vw{wT}  
7`AQn],  
CJ0
{>?  
w;f$oT  
8Ac5K!  
Qxb5Y)/jn  
)rX["=  
=To}yJ#  
X633.]+  
t*X k'(v  
当LDO的VIN absolute maximum接近电源电压时，这时候又不想换高规格的LDO，为了节省成本，这时可以串一个小阻值电阻，能吸收一部分电压和电流，当电源端出现更大的浪涌时，电阻会身先士卒，代价更小。 "\0&1C(G  
a?&{eMEe}  
假设LDO击穿，VIN和GND短路，因为串联电阻R的存在，也会避免电源SYS_5V与GND的短路。 8:s" ^YLN  
3、TVS前后串联电阻 |oCE7'BaP  
?}<4LK]  
8JYF0r7  
TVS串联电阻一般有两种接法，图A电阻在TVS前，图B电阻在TVS后，两种电路使用场景是不一样的。 W6cA@DN$#  
先问大家一个问题，电阻和TVS那个抗浪涌能力强，答案毋庸置疑，当然是TVS。 ;#c=0*.  
1）对图A来说，首先要考虑浪涌大小，如果不大，可以选择一个合适功率的电阻，电阻在TVS前面，会吸收很小一部分的电流，浪涌电流IPP小了之后，对应TVS的Vc（钳位电压）也会变小，对后端负载的保护更好。 ,|RS]I>X  
#{97<sU\  
2）对图B来说，TVS首先吸收大部分的浪涌电流，部分残压或者残流，会经过电阻R2，进行二次的分压限流，可以更好的保护后端负载。如果后端负载远大于R2，分压限流也就微乎其微了，R2其实也就没啥作用了。半导体工程师半导体经验分享，半导体成果交流，半导体信息发布。半导体行业动态，半导体从业者职业规划，芯片工程师成长历程。公众号