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    [讨论]磁控溅射镀膜电子损伤 [复制链接]

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    离线hxn123
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-15
    关键词: 磁控溅射镀膜
    各位大佬,磁控溅射镀膜过程中的电子损伤能用什么办法检测出来嘛,电子损伤有什么办法将其消除或者规避掉嘛?
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 1楼 发表于: 2021-12-16
    是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? ;{1  ws  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 &F.L*M  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, NEt_UcC  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 5s:g(gy3BR  
    离线hxn123
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    只看该作者 2楼 发表于: 2021-12-16
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? <+: PTG/('  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 YXDuhrs}  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, N a<);Pg  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 Wux[h8G  
     (2021-12-16 11:58)  L/)Q1Mm  
    *mkL>v &  
    好滴,谢谢。这个电子损伤主要是溅射沉积过程中产生的电子,包括二次电子,应该不包括静电。
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2021-12-24
    这样…… >~})O&t  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 Tb!jIe  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 :~'R|l  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源?
    离线hxn123
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    只看该作者 4楼 发表于: 2021-12-28
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:这样…… KU;J2Kt  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 C9n*?Mk:  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 s,H }km  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源? (2021-12-24 11:13)  r;GAQH}j_  
     BF /4  
    好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射
    离线ouyuu
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    只看该作者 5楼 发表于: 2021-12-30
    回 hxn123 的帖子
    hxn123:好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射 (2021-12-28 23:10)  0iVeM!bM  
    U,Th-oU  
    是的。