ESD测试你做了吗?

ESD测试你做了吗? (HSgEs1d  

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芯片实验室赵工 半导体工程师 今天 BRk0CLr5  
ESD测试，即静电放电测试。 hWKJ,r%9;  
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用户做静电测试前需要确认，做哪些ESD实验？提供POD给实验室确认是否有现成夹具，没有的话要定制夹具。 t 0-(U\  
ESD通常有以下几种模式： *Mw_0Y  
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➢ HBM （人体模型）Human Body Model：模拟人体接触到芯片管脚产生的ESD放电 v{9t]s>B  
• 通常测试条件为2000V, 可以采用步进式(step）增加电压直至打死(fail)，比如500V，1000V，1500V, 2000V till fail，也可以直接2000V。 V^\8BVw  
• 样品一般为3颗/组，也可以1颗/组(工程时） Ur5FC r  
➢ MM （机器模型）Machine Model：模拟生产加工过程中，生产设备对芯片产生ESD放电 _L@2_
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• 目前仅日本厂商有强制性要求，JEDEC已经作废 1}tbH[  
• 样品一般为3颗/组，也可以1颗/组(工程时） G 2mX;  
➢ CDM （人体模型）Charged Device Model：模拟芯片运输过程出现内部电荷累计条件下的ESD放电 !}4MN:r  
• 通常测试条件为200V，500V, 可以采用步进式(step）增加电压直至打死(fail)，比如200V，250V，300V, till fail2000V，也可以直接500V。 ({NAMc*  
➢ LU（闩锁测试）Latch-up test：指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流 04*6(L)h*  
• 通常温度通常为室温（25度），也可高温(85度，125度等），通常测试条件为100mA，1.5 x VCC，也可200mA，1.5 x VCC #(1j#\  
• 样品一般为3颗I-test（电流测试），3颗 Vsupply Overvoltage test（过电压测试），共计6颗，也可6颗/组，都测。 6<$Odd
 
➢ 曲线测试 IV Curve Trace：量IC 管脚的电压电流（I-V）曲线 Vo7dAHHL  
➢ EOS测试 电过应力测试 Electrical Over Stress ： vmLxkjUm#  
• 就是用MK2或者MK4做过压测试➢ TLP测试 Transmission Line Pulse C#H:-Q&  
• 一般设计公司需要做， 使用TLP脉冲方波评估芯片的ESD性能，可以是Wafer，die或封装后成品。 8,atX+tc  
• 通常0V打到fail <}sq?Sfq!  
➢ ESD-gun 静电枪测试 !YP@m~  
• 模拟单板、系统外部接口在带电插拔等情况下的ESD放电，板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行 /__PSK  
• 通常电压较高，会打2KV以上，甚至10KV，20KV.➢ EFT Test 电快速脉冲群测试：Electrical Fast Transient 2hee./F`  
• 板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行• 通常都会打2KV，4KV IN,(yaC  
➢ Surge Test 浪涌测试，低压雷击测试 *bxzCI7b  
• 板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行，测试电磁干扰能力，检验是否能抵抗脉冲和噪声的干扰• 一般是从Vcc max打到fail, 比如step 0.5V till fail