全球十大功率器件厂商及经典产品介绍

infineon（英飞凌）Infineon脱胎于西门子半导体部门，于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是欧洲最大的半导体公司，其功率半导体在全球排名第一。其主要功率器件产品包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化镓增强型 HEMT、功率分立式元件、保护开关、硅驱动器、氮化镓驱动器、IGBT 模块、智能功率模块（IPM）、线性调节器、电机控制解决方案、LED 驱动器以及各种交流-直流、直流-交流和数字功率转换等，涵盖了所有功率技术——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），功率方面覆盖微安级到兆瓦级。 DsJn#>?Kh  
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ONSemiconductor（安森美）ON SemiconductorCorporation创立于1999年，是全球高性能电源解决方案供应商。其主要功率器件产品包括汽车工业MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，使其在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用领域都有良好的表现。 ,&&M|,NQ&s  
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ST（意法半导体）ST集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成，是世界最大的半导体公司之一，也是世界领先的分立功率器件供应商之一。其产品范围包含MOSFET (包括运用创新的MDmeshTM第二代技术的器件)、双极晶体管、IGBT、肖特基与超快速恢复双极工艺二极管、三端双向可控硅开关及保护器件。此外，意法半导体的专利IPAD（集成有源和无源器件）技术，允许在单个芯片中整合多个有源和无源元件。 3
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Mitsubishi（三菱电机）Mitsubishi成立于1921年，主营功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家电、工业控制、智能电网、轨道交通、绿色能源、卫星、防御系统、电梯及自动扶梯、汽车用电子用品、空调、通风设备等领域的电力变换和电机控制中得到广泛应用。 RC{Z)M{~  
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Toshiba（东芝）Toshiba创立于1875年，是日本最大的半导体制造商，隶属于三井集团。东芝的功率器件产品包括广泛的二极管产品组合、双极晶体管、VDSS为500~800V的中高压DTMOSIV系列，VSS为12~250V的低电压UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低电压IPD、和250V/500V的高压IPD，可分别应用于娱乐、汽车设备,以及家用电器和工业设备等领域。 'gZbNg=&[  
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Vishay（威世）Vishay集团成立于1962年，是世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商和供应商之一。其主要产品包括无源和分立有源电子元件，特别是电阻、电容器、感应器、二极管和晶体管。广泛应用于计算机、电话、电视、汽车、家用电器、医疗设备、卫星、军用及航空设备领域。 gMBQtPNM  
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Fuji Electric（富士电机）Fuji Electric成立于1923年，是一家以大型电气机器为主产品的日本重电机制造商，主营功率器件包括整流二极管、功率MOSFET、IGBT、电源控制IC、SiC器件等。值得一提的是，富士还是日立的 IGBT 芯片供应商。拥有全世界最多的 IGBT 器件方面的技术专利，总数达 500 件。现在，富士电机的 IGBT 几乎占领了全日本的电动汽车领域。 L>Oy7w)Y  
Renesas（瑞萨）Renesas于2003年，由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立，是世界十大半导体芯片供应商之一。其主营模拟功率器件包括双极型功率晶体管、功率二极管、功率MOSFET、晶闸管和IGBT，广泛应用于汽车、工业、家居、办公自动化、信息通信技术等领域。 "Z2Tc)  
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Rohm（罗姆）Rohm创立于1958年，是全球著名半导体厂商之一。其主营功率器件包括晶体管、二极管、IGBT、SiC功率器件和智能功率模块，其功率器件产品线是小型高可靠性产品阵容的典型代表。 8| e$  
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Semikron（赛米控）Semikron成立于1951年，总部位于德国纽伦堡，是全球领先的功率模块和系统制造商之一。其产品主要涉及中等功率输出范围（约2 kW至10 MW），是现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件，广泛应用于电源、可再生能源（风能和太阳能发电）和电动车（私家车、厢式货车、公交车、卡车、叉车等）领域。同时，Semikron也是全球前十大 IGBT 模块供应商，在 1700V 及以下电压等级的消费 IGBT 领域处于优势地位。目前，赛米控在全球二极管和晶闸管半导体模块市场占有 25%的份额。 Wda\a.bXT  
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敢问路在何方？站在政府和供给端企业角度来说，功率器件领域，欧美日三足鼎立的局面暂时不会改变，而国内市场需求大，本土厂商应援还存在问题，如何尽快地完成国产替代是未来地一场攻坚战，如何打赢？天时地利人和。 M_!u@\  
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​站在技术的角度来说，功率器件必将向高功率、高频率、高效率和易驱动方向发展，而后IGBT时代的新材料的出现可以加速这一系列目标的实现。 Z-t}6c'Kg