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    [求助]PC基材上镀ITO和AR膜,出现ITO和AR膜裂 [复制链接]

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    离线jimmy_
     
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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2020-12-23
    PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜,905nm增透,后工序100℃烘烤2h后ITO和AR(SiO2和TiO2)膜均出现了开裂。 F@<cp ?dR  
    请教下各位大佬,如何进行工艺改善?
     
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    离线sosjinyan
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    只看该作者 7楼 发表于: 2021-03-26
    ITO 膜  能用电子枪镀膜吗?  看资料是 磁控溅射镀膜
    离线chenenlin
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    只看该作者 6楼 发表于: 2021-03-15
    回 zhongjiagang 的帖子
    zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点: Pek[j)g}  
    1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; 5=*i!c _m  
    2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; VsTgK  
    3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁; ?#a&eW  
    4 .. (2021-02-08 09:19)  7:g_:}m  
    +@uA  
    经典回复 l1kHFeq  
    e<uf)K=(C  
    补充一个,就是材料本身,我验证了很多PC材料,和材料也是有关系的!
    离线zhongjiagang
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    只看该作者 5楼 发表于: 2021-02-08
    PC镀膜的要注意以下几点: (xvg.Nby  
    1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; W{J e)N  
    2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; /JRZ?/<1  
    3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁;  RSj8T<  
    4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。
    离线jimmy_
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    只看该作者 4楼 发表于: 2021-01-26
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:膜裂原因有很多。 bh5P98s  
    有些是温度的影响,有些是吸水的影响。
    PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 6wu`;>  
    另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 |*w)]2B l  
    ....... (2021-01-16 17:25)  "CC"J(&a  
    xx1lEcj  
    多谢专家的指导,我们再验证一下! E<tR8='F  
    另外请问专家有没有硬化液推荐的,PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。 N;YFr  
    谢谢!
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2021-01-16
    膜裂原因有很多。 mzM95yQ^Z  
    有些是温度的影响,有些是吸水的影响。 &d6ud |  
    jK/F zD0-  
    PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 6W1+@ q  
    另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 glo G_*W  
    但是离子源会造成温度升高,所以要注意条件。 u"oO._a(  
    kmTYRl )j  
    实验要多做,各种条件都做一下。 _3%:m||,XP  
    具体情况具体分析,有时候设备不好也会造成问题的。 '{~[e**  
    并不是所有问题都可以用工艺解决的。
    离线ouyuu
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    只看该作者 2楼 发表于: 2021-01-16
    你设备有卤素灯加热吗?PC镀膜最好用卤素灯加热
    离线jimmy_
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    只看该作者 1楼 发表于: 2020-12-26
    路过的大佬请指导一下,谢谢