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ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机  据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化。 至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。 阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。 分享到：
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最新评论
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木子示羊 2020-12-01 08:30ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机
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james951 2020-12-01 08:44这么小厉害了
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fcd515 2020-12-01 08:56EUV光刻机厉害了
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若失若得 2020-12-01 09:19我们得加油了
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will_he 2020-12-01 09:57厉害呀，光刻机都要1nm了
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legendlyy 2020-12-01 10:12怎么追？？？？？？？？
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wmh1985 2020-12-01 10:16论坛上，与ASML（阿斯麦）合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。至少就目前而言，ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。
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光之守护者 2020-12-01 11:256666厉害了
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uu_guyue 2020-12-01 14:00学习学习
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neverknow 2020-12-01 14:07ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化