切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1553阅读
    • 0回复

    [推荐]通过序列和非序列追迹进行系统分析 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5786
    光币
    23082
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2020-09-24
    1. 摘要 ~_%[j8o&l  
    hM}2++V  
    VirtualLab可以通过对光学系统仅一次建模而使用不同的追迹技术对其进行分析。这包括光线追踪以与场追踪。 通过VirtualLab的非序列扩展,可以轻松地在序列和非序列之间对光学系统进行分析。本例演示了如何对您的系统执行非顺序分析。 作为范例,我们将使用一个平板,其第二个表面微倾。 0P(}e[~Z  
    rNc>1}DDS  
    {y'k wU  
    2. 建模任务 rtm28|0H'  
    Sf9+TW  
    zeX?]@]Y  
     在这个用例中,我们将说明用户如何轻松切换序列和非序列系统分析。 Lrq&k40y  
     为了演示目的,我们使用平面波来照射平板。 $G3P3y: [  
     我们对平板反射的光线感兴趣。 bX,Z<BvbF  
     组件由两个平面接口组成,其中第二个面倾斜0.1° 0W> ",2|z  
    RS~oSoAE  
    =#fqFL,  
    P}gh-5x  
    3. 示例系统 :[doYizk:  
    2 O%UT?R  
     通过系统配置文件指定系统参数 6]VTn-  
    R)/w   
    JS9q'd  
    \XC1/LZQ  
    4. 非序列追迹的选择 ("Zi,3"+  
    *3|KbCX  
    ^s5)FdF8  
     在光学系统属性窗口中,你可以选择执行序列追迹或者非序列追迹。 n" sGI  
     该属性选项会作用在以下引擎: bTj,5,8 i  
    - 光线追迹 "TPMSx&Ei  
    - 光线追迹系统分析器 Mtu8zm  
    - 第二代场追迹 qcqf9g  
    Oaui@q  
    +xMDm_TGLA  
    $\H>dm  
    5. 序列光线追迹结果 qp Z ".  
    D+OkD-8q  
    ZYG"nmNd  
     通过执行光线追迹系统分析器,可以显示一个3D光线分布。 _wIAr  
     在序列光线追踪的情况下,只评估第一个表面的反射光。 ec|IT0;  
    [*fnTy  
    XIU2l}g  
    <T['J]k%  
    6. 序列场追迹结果 ]^!#0(  
    wjkN%lPfvj  
    V%))%?3x_  
     使用相机探测器作为系统探测器。 0/c4%+ Ln  
     其可以计算探测器平面的能量强度分布 ]BA8[2=m  
     使用序列场追迹,一个平面波照射探测器,并以设定的色域显示。  m{~r6@  
    gN*8 zui  
    '?\Hm'8  
    b+kb7  
    7. 选择非序列追迹 Y#\e~>K  
    @uc%]V<:k  
    ^VA)vLj@  
     可以通过在属性窗口中更改属性Non-Sequential Tracing来激活非序列分析。 3'8~H]<W  
     如果选择此选项,VirtualLab将提供多个选项来控制非序列追迹技术。 fy-( B;  
     这些选项在另一个案例中介绍。 "YivjHa7H  
    }G]]0Oi2  
    Mf?4 `LM  
    Ou/{PK}  
    8. 非序列光线追迹结果 Gb"PMai  
    PWTAy\  
    #VLTx!5o  
     左侧的屏幕截图显示了光线追迹3D分析器的结果。 T+I|2HYqOj  
     图中可见,光线追迹引擎对第一平面和第二平面之间的内部反射进行了计算操作。 Ba"Z^(:  
    h-<+Pjc  
    >d =k-d  
    y<)x`&pcD  
    dme_Ivt  
    9. 非序列场追迹结果 E5B:79BGO  
    Zvc{o8^z  
    ZW2U9  
    ss*dM.b  
     相机探测器现在由两个平面波照明 Ax&+UxQ0|  
     强度分布图显示了这些模式的干涉图案。 w!61k \  
     这种干涉图案是由第二个表面相对于第一个表面的小倾斜造成的。 .2`S07Z  
    ;#AV~Y- s  
    dD=dPi#  
    |',Gy\Sj  
    J5429Soo  
    0 j6/H?OT  
    10. 文件和技术信息 l/SbJrM*  
    .Ir5gz  
    >XB Lm`a  
    t'^/}=c-  
    !iMsTH<  
    QQ:2987619807 y:xZ(RgfF  
     
    分享到