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上海光机所提出一种稀土高掺石英光纤制备新方案 自20世纪90年代提出单频激光这一概念以来，单频激光技术不断取得显著进展，并且取得越来越广泛的应用。稀土掺杂单频激光器通常要求高浓度的稀土离子掺杂。然而，高SiO2含量的玻璃基质因其结构特性难以实现稀土离子高掺，商用SiO2光纤中Yb3+离子的掺杂水平通常低于1wt%。 研究团队提出的光纤制备新方案主要分为三个步骤：石英管内壁涂覆、膜层的热处理、二次熔融拉锥过程。利用该方案，团队成功制备得到~1.03μm高SiO2含量玻璃有源光纤，Yb3+掺杂浓度高达5.7wt%，激光输出的信噪比高达70dB。制得的光纤很容易与商用石英基无源光纤器件（如光纤光栅）熔接。 该方案克服了高SiO2含量玻璃光纤中Yb3+离子溶解率低的问题，有望应用于制备短腔高增益石英基光纤。研究团队指出，该方案中只要该组分溶胶能够成功制备得到且具有良好的分散性，光纤的纤芯组成可以替换为任何高稀土掺杂组分。因此，该方案将对制备±1um、±1.5um甚至±2um石英基单频种子激光器均具有参考意义。  (a)(b)(c)稀土高掺石英包层光纤的制备流程图；(d)自制光纤与商用石英基无源光纤组件熔接的显微拍图；(e)激光输出 相关研究得到国家自然科学基金和上海国际合作基金的支持。 原文链接：https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2020.106425? 分享到：
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