FIB技术聚焦离子束显微镜

发布:探针台 2020-07-02 13:47 阅读:1724
聚焦离子束显微镜FIB技术 7 /w)^&8  
FIB是利用金属镓(Ga, 原子序31)作为离子源。利用加在Extractor的负电场将镓原子由针尖端牵引出,形成镓离子束。离子束透过电透镜聚焦,经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小。最后离子束再经过第二次聚焦至试片表面。因为镓原子位于周期表中间的位置,使用它来撞击其它元素原子所造成的移除效果远远大于电子。因此,可以利用离子束对试片表面进行特定图案的加工。一般SB-FIB可以提供材料切割、沉积金属、蚀刻金属和选择性蚀刻氧化层等功能,达到电路修补的需求。藉由气体辅助蚀刻系统的帮助,不但可以提高不同材料的蚀刻选择比与蚀刻速率,并可直接进行特定材料的沉积。目前SB-FIB机台的辅助蚀刻气体可应用于提高聚合物、金属(Al & Cu)与氧化物的蚀刻率。而辅助沉积气体的种类则有铂 (Pt),钨 (W) 与氧化矽 (TEOS)。北京SB-FIB如果结合场发射式电子显微镜(即Dual Beam FIB, DB-FIB)即可进行即时横截面观测。 0~Z >}(  
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分析应用 [nB[]j<R*  
定点切割 (Precision Cutting) Lqb9gUJ:U  
穿透式电子显微镜试片制作 (TEM Sample Preparation) SZW`|ajH  
IC线路修补和布局验证 (IC Circuit Editing and Verification) p?2 \9C4  
制程上异常观察分析 (Abnormal Process Analysis) Ly0^ L-~|  
晶相特性观察分析 (Ion Channeling Contrast for Grain Morphology Observation) UmcPpZ  
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