[讨论]光刻机，中国制造得出来吗？ [复制链接]

关于光刻机，荷兰那种全球顶级的EUV光刻机，中国制造得出来吗？下面的答案相对比较悲观，转自网络，大家可以讨论一下。 `T;Y%
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光刻机比原子弹还难造，它是全世界顶尖技术的荟萃，是一个综合大学科。是一种集合了数学、光学、流体力学、高分子物理与化学、表面物理与化学、精密仪器、机械、自动化、软件、图像识别领域顶尖技术的产物。 K~JXP5`(  
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这根本就不是一国之力可为的，荷兰不行，美国同样不行！ fnm:Wa|,%|  
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在一台尖端光刻机上你会看到全世界各国顶尖技术的荟萃：德国提供蔡司镜头技术设备，日本提供特殊复合材料，瑞典的工业精密机床技术，美国提供控制软件、电源等等等等，任何一国都不具备光刻机所要求的全部顶尖技术。 bP,_H  
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世界上每一个国家都不能依靠自己制造出先进的光刻机，现在的高端光刻机是许多个国家共同合作的结果，可惜中国不在这个集体内。 t
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从这个角度考虑，光刻机确实要比两弹一星难得多。 k|c=O6G
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光刻机集成了十万多个零件，有很多都是全世界的顶尖技术，每一项都是被国外垄断的技术。这并是荷兰的独家技术，而是美德英日瑞等好几个国家共同研发出来的，涉及好几个大科学领域。 Z6vm!#\  
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中国若有能力造出来，就意味着中国科技方方面面碾压全世界。 15^5yRXC  
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今天即使把ASML的技术人员、专家聘请到中国来，甚至给我们样机，随便拆，给我们设计图纸，给我们工具，我们同样造不出来。美国的电源，瑞典的轴承，德国的镜头哪弄去？

5年不行就十年，十年不行就二十年，一代人不行就两代人，没有什么不可能！！！

10年差距

最近小编在某音上看见一篇消息，上面说硅谷芯片“大神”尹志尧回国，带回30多位芯片人才，60多项个人专利，以及5nm刻蚀机。这一条小时得到了19W多的点赞，2万条留言，里面那么这条信息是真的还是假的呢？ =C:0='a  
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首先这件事是不是真的？这件事是真的，不过不是现在，而是2004年就回国了。可以说是一篇炒的不能再炒的“冷饭”。只是再这个特殊时期误导了网上的小伙伴。 6% ,Q  
那么谁是尹志尧呢？可以说他曾经被美国称之为“硅谷之神”来形容，1978-1980年，在北京大学化学系攻读硕士，1980年，前往加利福尼亚大学洛杉矶分校留学，并获得物理化学博士学位，1984年，在硅谷Intel公司、LAM研究所、应用材料公司等电浆蚀刻供职16年。尹志尧曾发起硅谷中国工程师协会并担任主席。可以说对于手机芯片的刻蚀技术有着杰出的贡献。并且尹志尧个人在半导体领域就有16项个人专利。 L]tyL)  
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有一次在世界半导体展览会上，尹志尧偶遇上海经贸委副主任江上舟。江上舟仔细观看了美国的应用材料设备以后说：看来刻蚀机比原子弹还要复杂，外国人用它来卡住我们的脖子，我们自己能不能把他造出来？ D>1D
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于是尹志尧在江上舟的鼓励下，与2004年8月回国，当时的尹志尧已经年过60，并且说服了一大批在硅谷当中正在做主流的半导体设备公司以及研究机构工作多年的华裔工程师。一起志同道合的人创办了中微半导体。 uIPR*9~6o  
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当时尹志尧有一个目标，要用15年追赶，20年超越，直到2018年12月份的时候中微公司宣布5nm刻蚀技术。距离他当时定下的目标的时候已经用了14年之久。而5nm刻蚀机是光刻机吗？让网友那么兴奋，其实根本就不是一回事。 (HJ60Hj  
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昨天小编写过一篇芯片的制造过程，在这小编在简单的说一下，手机芯片制造过程可分为前道工序晶圆制造、后道工序封装与检测等。因生产工艺复杂，工序繁多，所以生产制造过程当中需要种类繁多的设备。 a[JgR/E@x  
在晶圆制造中，就有七大生产链条，分别是扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric DeposiTIon）、抛光（CMP）、金属化（MetalizaTIon），所对应的七大类生产链条设备分别为扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、化学机械抛光机和清洗机。 G dooy~cn  
在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高。 bBQp:P?E  
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光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，是电路图和其他电子元件，比如麒麟990拥有103亿的晶体管，是怎么安装上去的呢？其实晶体管是用光刻技术雕刻出来的。 qy]-YJ
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刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料。主要有2种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。目前主流所用的是干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体刻蚀机。 BxG;vS3>*e  
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而芯片制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，应用涉及硅片上各种材料。蚀刻机也分为三大类，分别是介质刻蚀机（CCP 电容耦合）、硅刻蚀机（ICP 电感耦合）、金属刻蚀机（ ECR 电子回旋加速振荡），这主要是因为电容性等离子体刻蚀设备在以等离子体在较硬的介质材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量离子反应刻蚀的介质材料；有机掩模材料）上，刻蚀通孔、沟槽等微观结构；电感性等离子体刻蚀设备主要以等离子体在较软和较薄的材料（单晶硅、多晶硅等材料）上，刻蚀通孔、沟槽等微观结构。 {!4%Z9G  
电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常会采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。 f;Dz(~hw  
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所以按材料来分，刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀，它们彼此的应用并不相同，不能互相替代，因此。通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。 'F~
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整体看硅刻蚀最难，其次介质刻蚀，最简单的是金属刻蚀。而从事刻蚀机研发的企业就有北方华创和中微。 ~+g5?y  
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而台积电目前的5nm芯片技术就是采用的是中微蚀刻技术，可以说在光刻机当中蚀刻技术是全球最为领先的，但只是光刻机的一部分。 c2U>89LlZ  
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其实小编并非打击国人的信心，西方这么先进的光刻机是集众多国最为先进的科技产业公司的共同杰作，而我们在这一方面还需要努力学习，创新，追赶，乃至超越。而尹志尧的蚀刻技术确实是我们国人的骄傲，希望其他国产科技公司再接再厉，共同研发出让“老外”眼前一亮的光刻机技术。最后小编并不是抨击哪位博主，只是希望你说一篇消息的时候，也要求证一下。小编虽然也不是专业的，作为一个数码爱好者，但是看见一则消息是需要去看看消息是否属实，对读者也是一种责任。我可能写得不够好，但是我非常努力，你们的支持就是我的动力，我是高科技数码达人，关注我了解更多数码资讯，我们下期再见。 N4:'X6u;  

看斗音后，上网查到的结果。转载如下： /F_ :@#H  
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华为能等10年吗？

可以 只是时间问题

技术就像怀孕，是需要周期的~

本应当有一个中坚，群策群力。可是搞来资金之后，涌上来一片混子和骗子。当资金用光之后，就像退潮一样，海滩上散落着贝壳，还有小海螺和小虾在游动，喧闹声停止了，只有海风在轻叹。海浪又在涌动，泡沫和杂削期待着第二次潮涌。

一定能