失效分析前样品需要做哪些准备工作?

发布:探针台 2020-02-10 14:53 阅读:2526
,L>{(Q)  
失效分析样品准备: w`#9Re  
失效分析 赵工 半导体元器件失效分析可靠性测试 1月6日 NJoHrhC='  
失效分析样品准备: i#4E*B_-  
失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。 v Oo^H  
常见的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,FIB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因为失效分析设备昂贵,大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备,因此借用外力,使用对外开放的资源,来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备的信息有哪些呢?下面为大家整理一下: wn<k "6x  
一、decap:写清样品尺寸,数量,封装形式,材质,开封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面较大有突起,会影响对芯片的保护)后续试验。 =PjdL3 2  
1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 K3rsew n  
2.样品减薄(陶瓷,金属除外) z!k  
3.激光打标 Nlc3S+$`z  
4.芯片开封(正面/背面) EW]8k@&g  
5.IC蚀刻,塑封体去除 w5Ucj*A\  
二、X-RAY:写清样品尺寸,数量,材质(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重点观察区域,精度。 XwU1CejP0  
1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 {K/xI  
2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 y{tM|  
3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 =fhRyU:C[z  
缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 uBM%E OE  
三、IV:写清管脚数量,封装形式,加电方式,电压电流限制范围。实验人员需要提前确认搭建适合的分析环境,若样品不适合就不用白跑一趟了。 su8()]|0x  
1.Open/Short Test 1x+w|h  
2.I/V Curve Analysis '^2bC  
3.Idd Measuring W7T2j+]  
4.Powered Leakage(漏电)Test `<R^ZL,  
四、EMMI:写清样品加电方式,电压电流,是否是裸die,是否已经开封,特殊要求等,EMMI是加电测试,可以连接各种源表,确认加电要求,若实验室没有适合的源表,可以自带,避免做无用功。 i(q a'*  
1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 F22]4DLHO  
2.饱和区晶体管的热电子  {qH+S/  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 j(_6.zf  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 (|y@ ftr@  
Hot Carriers Effect、ESD等问题 c&SSf_0O*  
五、FIB:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。切点观察的,标清切点要求。切线连线写清方案,发定位文件。 ^7$Q"  
8..g\ZT  
1.芯片电路修改和布局验证 D;DI8.4`N  
2.Cross-Section截面分析 #CB`7 }jq  
3.Probing Pad N&Uqzt*  
4.定点切割 {E1^Wn1M  
六、SEM:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。 >- CNHb  
1.材料表面形貌分析,微区形貌观察 h~&5;  
2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 C7 9~@%T  
3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 ?SoRi</1  
4.纳米尺寸量测及标示 {r?Ly15  
七、EDX:写清样品尺寸,材质,EDX是定性分析,能看到样品的材质和大概比例,适合金属元素分析。 0'`#I  
1.微区成分定性分析 :&O6Y-/B  
八、Probe:写清样品测试环境要求,需要搭配什么源表,使用什么探针,一般有硬针和软针,软针较细,不易对样品造成二次损伤。 ::Di  
1.微小连接点信号引出 il:RE8  
2.失效分析失效确认 t@BhosR-  
3.FIB电路修改后电学特性确认 m&6)Vt  
4.晶圆可靠性验证 ?NUDHUn_  
九、OM:写清样品情况,对放大倍率要求。OM属于表面观察,看不到内部情况。 nqib`U@"  
1.样品外观、形貌检测 lhFv2.qR  
2.制备样片的金相显微分析 j sw0"d(  
3.各种缺陷的查找 l;;"v) C8  
4.晶体管点焊、检查 nrz2f7d$  
十、RIE:写清样品材质,需要看到的区域。 'c/Z W  
1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨 +"[}gss!@  
2.器件表面图形的刻蚀 9M .cTIO{  
Q\Nz^~dQ:Y  
北京芯片失效分析实验室介绍 {UOR_Vt!*  
IC失效分析实验室 Ky[-ZQQo=5  
北软检测智能产品检测实验室于2015年底实施运营,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 "3uPK$  
X&|y|  
委托方式送样,快递均可。 V#d8fRm  
国家应用软件产品质量监督检验中心 { Em fw9L  
北京软件产品质量检测检验中心 o~p%ODH  
智能产品检测部 @-jI<g  
赵工
分享到:

最新评论

我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:商务合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2024 光行天下 蜀ICP备06003254号-1