在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。 oc3}L^aD
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LED是 Light Emitting Diode（发光二极管）的缩写。广泛见于日常生活中，如家用电器的指示灯，汽车后防雾灯等。LED的最显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。
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LD是激光二极管的英文缩写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了广泛的应用。 ``4lomz>
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二者在原理、架构、效能上的差别。 y()Si\9v
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1.在工作原理上的差别： Jz6 , 2,LN
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LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。 jB-)/8.qk
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2.在架构上的差别： y3vm+tJc{
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LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。 j L[
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3.效能上的差别 ： L/R ES
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LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。
