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[讨论]MgF2的镀膜参数讨论 [复制链接]

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离线yzhuang

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只看楼主倒序阅读楼主发表于: 2018-10-10

一般情况下，如果是一个超宽带增透膜，就增透效果来说，最好的低折射率材料MgF2，但是关于MgF2的镀膜，温度基本上要300摄氏度左右最佳，参考资料是不能加离子源，300摄氏度镀膜抽真空时间会变得较长，且如果高折射率材料是Ta2O5的话，对于使用电子枪蒸发而言，必须进行离子源辅助才会得到基本无吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的话，300摄氏度可能会有结晶，吸收也有可能会增加。这就跟MgF2的镀膜产生了冲突，我曾经进行过加APS源尝试，但无论怎么改变源的参数，还是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一个最佳的做法。