切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 80阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    4685
    光币
    17801
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 04-18
    摘要 feg`(R2  
    s'AQUUrb <  
    eu=|t&FKk  
    )x9]xqoR  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 {"\q(R0  
    \ >(zunL  
    建模任务 "9 u-lcQ\  
    EUXV/QV{  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 &{hc   
    9`,,%vdj  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 ;HT0w_,  
    1y(iE C  
    探测器 v6KL93  
    dgm+U%E  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) 4=UI3 2v3  
    I@+lFG   
    太阳能电池 KdS eCeddW  
    fyGCfM  
    69?I?,7  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 -wBnwn-  
    M44_us  
    系统构建模块-分层的介质组件 -uO%[/h;N  
    z{@= _5;  
    i:\bqK  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 ZyZl\\8U  
    rrW! X q  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 jg7d7{{SB  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: u_h=nk  
    每个均质层的特征值求解器。 Cq TH!'N  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 yl[2et  
    X9p+a,  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 ;D6x=v=2  
    IJ+O),'  
    (D:KqGqoT  
    更多信息: B/kcb(5v  
    层矩阵(S矩阵) c-? Ygr  
    H0 {Mlu9  
    系统构建模块-已采样的介质 +#&el//  
    8JQ<LrIt9  
    I8XGU)  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 M80}3mgP~  
    &Z;Eu'ia  
    系统构建模块-探测   O~7p^i}  
    KFCQYdI`d  
    nS?S6G5h  
    总结——组件 t[L2'J.5  
    ;,[EJR^CI  
    W$x K^}  
    N^nDWK  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 Gl3 `e&7  
    3|z;K,`Fw  
       LNsE7t  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured *X"F:7  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. &q"uy:Rd  
    \!? PhNv  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm ?CL z@u~  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。
     
    分享到