诺尔光电“单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法”专利公布

国家知识产权局信息显示，广州诺尔光电科技有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管图像传感器晶圆及其制造方法、单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN118888562 A，申请日期为 2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种单光子雪崩二极管图像传感器晶圆及其制造方法、一种单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法，方法包括：提供施主衬底，施主衬底包括后续能够进行光响应的吸收层。提供目标衬底，目标衬底包括依次层叠设置的第二衬底、埋氧层和第一硅层，在目标衬底上形成第一绝缘层，构成受主衬底，键合受主衬底和施主衬底，去除部分厚度的第一衬底，得到单光子雪崩二极管图像传感器晶圆。通过利用包括第二衬底、埋氧层和第一硅层的目标衬底，以及在目标衬底上形成第一绝缘层能够形成双层谐振腔结构，双层谐振腔结构能够形成高性能单光子雪崩二极管图像传感器晶圆，最终制造得到高性能单光子雪崩二极管图像传感器。