韩国一大学研发近红外硅光电二极管 可用于自动驾驶激光雷达
韩国浦项工科大学的一组研究人员已经研发出近红外（NIR）硅光电二极管，比现有的光电二极管灵敏度高出三分之一。
 2019年12月3日，韩国浦项工科大学（Pohang University of Science and Technology）的一组研究人员已经研发出近红外（NIR）硅光电二极管，比现有的光电二极管灵敏度高出三分之一。 现有的近红外光电二极管通常由化学材料制成，需要单独的冷却装置，很难集成。而浦项工科大学Chang-Ki Baek教授领导的一组研究人员采用沙漏型的硅纳米线，增加了硅对红外光的吸收。  位于纳米线上方，倒转的纳米锥通过产生回音壁式共振，延长了近红外-短波红外（SWIR）光子的停留时间，而下方的纳米锥由于反射率低，能够重新吸收附近纳米线的入射光。 与现有的平板硅光电子二极管相比，该纳米线在1000纳米波长下，对近红外光的反应增加了29%。研究人员将新研发的光电二极管用于移动心率测量系统中，结果发现，与现有的光电二极管相比，新型光电二极管的灵敏度更高，而且误差率不到1%。 用于制造光电二极管的硅能够以低成本量产，潜在的应用包括用于自动驾驶车辆的激光雷达、医疗激光器、夜视、图像传感器等。 这项研究发表在Nature Electronics（www.dx.doi.org/10.1038/s41928-019-0317-z）上。 原文链接：https://www.photonics.com/Articles/Hourglass-Shaped_Silicon_Nanowire_Photodiodes/a65343 论文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-019-0317-z |
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