科学家在硅片上直接制备砷化镓激光器
通过在硅基片上设计和构造纳米级模式可以限制晶格失配瑕疵，从而使得硅基片砷化镓模式接近零瑕疵，量子点的电子量子限域效应增长使得产生激光成为可能。
 在《应用物理学报》上刊登的一篇报道中指出，通过在硅基片上设计和构造纳米级模式可以限制晶格失配瑕疵，从而使得硅基片砷化镓模式接近零瑕疵，量子点的电子量子限域效应增长使得产生激光成为可能。 工作在“回音壁模式”的激光器直径为1μm，被集成在数字芯片上用于通讯。 香港科技大学Kei May Lau教授表示：“我们的激光器具有很低阈值，体积足以集成在微处理器中。这类激光器可以在硅片上生长。” Lau的团队和来自加利福利亚大学、桑迪亚国家实验室和哈佛大学研究人员共同合作。 现如今，激光器还需要外部光源的光学泵浦。电泵浦将成为下一个研究方向。  在上图中，绿色部分表示模拟的回音壁模式电场分布情况。橙色部分表示激光介质（量子点）的量子显微结构图像。蓝色部分描述的是纳米结构硅衬底上的碟片激光器。图片来源：《应用物理学报》 |
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