研究人员已攻克10纳米芯片制造技术难题

　　英特尔研究人员表示，他们已经攻克了10纳米芯片制造技术难题，为生产能耗更低的先进芯片奠定了基础。

　　英特尔Ivy Bridge和Haswell两种芯片都将采用22纳米制造工艺生产，在此之后，英特尔将转向14纳米制造工艺，并预计将在2013年晚些时候或2014年初开始用这种技术制造芯片。周三，在英特尔开发者论坛上，该公司高管透露他们还掌握了制造10纳米芯片的技术。

　　英特尔技术制造部门工艺架构与整合主管马克·波尔(Mark Bohr)说：“14纳米芯片技术现已处于全面的开发模式，正在为明年底启动全面生产做准备。眼下，我将自己的个人时间都用在了10纳米技术上面，看上去我们已经找到了解决办法。”

　　波尔称，10纳米芯片技术可能依赖于一系列实验性技术，可能涉及光子学、材料合成、最新三栅级晶体管、极紫外光微影(EUV)等方面的技术。在有关如何生产10纳米芯片的问题上，英特尔可能会采用沉浸式光刻(immersion lithography)技术，尽管它更希望使用EUV技术。

　　波尔暗示，使用EUV技术生产10纳米芯片存在诸多困难：“我希望采用EUV技术生产10纳米芯片，但我认为它届时还不成熟。”此外，EUV技术的制造成本也高于沉浸式光刻技术。英特尔研究团队还在积极探索生产7纳米和5纳米芯片的技术，但这一目标距离现在过于遥远，因为10纳米芯片技术要到2015年才能达到生产标准。

　　波尔最后表示，与AMD、ARM等竞争对手不同的是，英特尔旗下拥有和运营着芯片生产工厂。他说：“工艺流程开发的确需要巨额投资，但也会带来巨大的经济优势。”