UID:306726
UID:3656
UID:291835
UID:311557
UID:304855
UID:306740
dumoty:SiO打底200nm,石英环/Ti3O5,4层,离子辅助沉积 x"80c(i 冷镀不加温,抽一个半小时 \&90$>h 基片超声波清洗,洗后75°退火2小时 7A-rF U$ 镀完再退火2小时 (2018-08-09 11:11) 4UkLvL1x
UID:23034
UID:124833
UID:310287